[发明专利]储能器件用底涂层和储能器件电极用底涂箔

权利要求书

1.储能器件电极，其特征在于，是具有储能器件电极用底涂箔和活性物质层的储能器件电极，该储能器件电极用底涂箔具有集电基板和在该集电基板的至少一面形成的储能器件用底涂层，该活性物质层是在该底涂层的表面的部分形成的活性物质层，

该储能器件电极在形成有所述底涂层并且没有形成所述活性物质层的部分与金属极片被超声波焊接，

所述底涂层的厚度为1～80nm。

2.根据权利要求1所述的储能器件电极，其中，所述底涂层的厚度为16～80nm。

3.根据权利要求2所述的储能器件电极，其中，所述底涂层的厚度为30～80nm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的储能器件电极，其中，所述底涂层包含导电材料。

5.根据权利要求4所述的储能器件电极，其中，所述导电材料包含选自炭黑、科琴黑、乙炔黑、碳晶须、碳纳米管、碳纤维、天然石墨、人造石墨、氧化钛、ITO、氧化钌、铝和镍中的1种或2种以上。

6.根据权利要求5所述的储能器件电极，其中，所述导电材料包含碳纳米管。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的储能器件电极，其中，所述底涂层包含分散剂。

8.根据权利要求7所述的储能器件电极，其中，所述分散剂为三芳基胺系高支化聚合物或在侧链中含有噁唑啉基的乙烯基系聚合物。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的储能器件电极，其中，所述底涂层包含基体高分子。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的储能器件电极，其中，所述集电基板为铝箔或铜箔。

11.根据权利要求1～3中任一项所述的储能器件电极，其中，所述活性物质层是以使所述底涂层的周缘残留、将其以外的部分全部覆盖的形态形成的。

12.储能器件，其具备根据权利要求1～11中任一项所述的储能器件电极。

13.储能器件，具有至少一个的具备一个或多个根据权利要求1～11中任一项所述的电极和金属极片而构成的电极结构体，所述电极的至少一个在形成有所述底涂层并且没有形成所述活性物质层的部分与所述金属极片被超声波焊接。

14.根据权利要求13所述的储能器件，其中，所述金属极片含有选自铝、铜和镍中的至少一种的金属而构成。

15.储能器件的制造方法，是使用了一个或多个根据权利要求1～11中任一项所述的电极的储能器件的制造方法，其具有如下工序：将所述电极的至少一个在形成有所述底涂层并且未形成所述活性物质层的部分与金属极片超声波焊接。