[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备

说明书

本公开涉及能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动的固态图像拾取元件、固态图像拾取元件的制造方法和电子设备。所述固态图像拾取元件包括：形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；和密封所述光电转换膜的侧面的侧壁。所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。本公开可以适用于例如CMOS图像传感器等。

技术领域

本公开涉及一种固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备。特别地，本公开涉及能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动的固态图像拾取元件、固态图像拾取元件的制造方法和电子设备。

背景技术

近年来，电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器具有像素尺寸减小的趋势。因此，入射在单位像素上的光子数(光量)减小，从而降低了像素的感度，由此信号/噪声(S/N)比有时降低。

此外，已经广泛使用采用包括排列在平面上的红色、绿色和蓝色像素的像素阵列的图像传感器，例如，具有基色滤光器的拜耳阵列。对于这样的图像传感器，例如，绿光和蓝光不透过滤色器中的红色像素，并且不用于光电转换，从而导致感度方面的损失。此外，随着通过像素之间的内插处理生成颜色信号时，可能会出现伪色。

另一方面，已经提出了一种图像传感器，其具有包括垂直层叠的三个光电转换层的结构，以针对一个像素获得三种颜色的光电转换信号(例如，参见专利文献1)。

例如，专利文献1公开了一种固态图像拾取元件，其具有以下结构，包括：用于检测绿光以生成与绿光对应的信号电荷的光电转换单元，所述光电转换单元设置在硅基板上；和用于检测蓝光和红光的两个光电转换区域，所述两个光电转换区域层叠在硅基板内。

此外，还提出了一种背面照射型固态图像拾取元件。这种固态图像拾取元件具有以下结构，包括设置在硅基板上方的一层光电转换膜和设置在硅基板内的两种颜色光电转换单元，并且电路形成面形成在与光接收面相对的一侧上(例如，参见专利文献2)。

对于这种背面照射型固态图像拾取元件，在无机光电转换单元和有机光电转换单元之间未形成电路、配线等。因此，可以使同一像素内的无机光电转换单元和有机光电转换单元之间的距离接近。结果，可以抑制各种颜色的F值依赖性和各颜色之间感度的变化。

另一方面，由于有机光电转换膜一般对于大气中的H₂O和O₂的耐受性弱，因此需要在包括设置在硅基板上方的有机光电转换膜的结构中构建密封结构。例如，专利文献3提出了一种包括双层上部电极的结构，其被设置利用在结构的上侧的第二上部电极来密封有机光电转换膜。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利公开No.2003-332551

专利文献2：日本专利公开No.2011-29337

专利文献3：日本专利公开No.2015-56554

发明内容

发明要解决的问题

然而，利用专利文献3的技术，有机光电转换膜需要暴露于大气，直到构建密封结构。这种大气暴露有时会引起有机光电转换膜的外周部的光电转换特性的变动。

鉴于这种情况做出了本公开，其能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动。

解决问题的方案

根据本公开第一方面的固态图像拾取元件包括：形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；和密封所述光电转换膜的侧面的侧壁，所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。

根据本公开第二方面的制造固态图像拾取元件的方法包括：在半导体基板的上侧形成光电转换膜；和形成密封所述光电转换膜的侧面的侧壁，所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。