[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态图像拾取元件，包括：

形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；

设置在所述光电转换膜下方的多个下部电极，和

密封所述光电转换膜的侧面的侧壁，其中，

所述侧壁包括第一膜，

所述第一膜是第二膜的再沉积膜，

所述第二膜在所述侧壁正下方，并且

所述第二膜位于所述多个下部电极之间。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，还包括：

设置在所述光电转换膜上方的上部电极

其中，所述多个下部电极中的每个下部电极对应于相应的像素，和

所述上部电极的侧面用所述侧壁覆盖。

3.根据权利要求2所述的固态图像拾取元件，

其中，所述上部电极对应于所述相应的像素。

4.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，

其中，所述第二膜包括绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，

其中在所述第二膜包含SiO、SiCO、AlO、AlN、SiN、SiON、SiCN和SiCNO中的任何材料。

6.根据权利要求2所述的固态图像拾取元件，还包括：

在像素阵列单元的外侧的外围电路单元的层中的虚设膜，所述层的深度与包括所述多个下部电极的层相同，所述虚设膜的抛光速率与所述第二膜的抛光速率不同。

7.根据权利要求6所述的固态图像拾取元件，

其中所述虚设膜的抛光速率低于所述第二膜的抛光速率。

8.根据权利要求6所述的固态图像拾取元件，

其中所述虚设膜包含SiN、SiON、SiCO、SiCN、SiCNO、ITO或IZO中的任何材料。

9.根据权利要求6所述的固态图像拾取元件，

其中所述虚设膜的上表面的高度等于或低于所述多个下部电极中的每个下部电极的上表面的高度。

10.一种制造固态图像拾取元件的方法，所述方法包括：

在半导体基板的上侧形成光电转换膜；

设置在所述光电转换膜下方的多个下部电极，和

形成密封所述光电转换膜的侧面的侧壁，其中，

所述侧壁包括第一膜，

所述第一膜是第二膜的再沉积膜，

所述第二膜在所述侧壁正下方，并且

所述第二膜位于所述多个下部电极之间。

11.一种电子设备，包括：

固态图像拾取元件，所述固态图像拾取元件包括：

形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；

设置在所述光电转换膜下方的多个下部电极，和

密封所述光电转换膜的侧面的侧壁，其中，

所述侧壁包括第一膜，

所述第一膜是第二膜的再沉积膜，

所述第二膜在所述侧壁正下方，并且

所述第二膜位于所述多个下部电极之间。