[发明专利]用于负型可显影光致抗蚀剂的计算机建模及模拟的改进方法

权利要求书

1.一种用于优化掩模的方法，包括：

模拟光致抗蚀剂的显影过程，其包括：

确定显影剂与可溶性光致抗蚀剂表面的反应，其包括：

将反应速率常数施加到处于反应级的幂的嵌段聚合物浓度，以产出包括溶解受限显影状态的可溶性抗蚀剂的抗蚀剂溶解速率；及确定所述显影剂到经曝光且部分可溶性抗蚀剂中的通量，其包括：

取决于所述嵌段聚合物浓度而将所述显影剂的向量值扩散系数施加到显影剂浓度梯度，以产出包括膨胀受控显影状态的不溶性抗蚀剂的膨胀速率；以及

从所述模拟提供用于优化和形成掩模的结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂显影过程包括负型显影过程。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂显影过程包括正型显影过程。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂显影过程包括用于248nm KrF、193nm ArF或13.5nm EUV光刻的光致抗蚀剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述反应速率常数K_R施加到处于所述反应级n的所述幂的所述嵌段聚合物浓度m以产出等于k_R(m)ⁿ的所述可溶性抗蚀剂溶解速率R_D。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过取决于所述嵌段聚合物浓度m而在点r及时间t处将所述显影剂的向量值扩散系数D_s施加到所述显影剂浓度的梯度来确定所述显影剂到经曝光且部分可溶性抗蚀剂中的通量j_s(r,t)，使得

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述光致抗蚀剂表面对所述显影剂至少部分可溶时，施加所述溶解受控状态。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述光致抗蚀剂表面基本上对所述显影剂不溶时，施加所述膨胀受控状态。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述光致抗蚀剂表面基本上对所述显影剂不溶以使得所述显影剂继续吸收到所述光致抗蚀剂中从而增大所述光致抗蚀剂的体积时，施加所述膨胀受控状态。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶解受控状态在凝胶点剂量处转变到所述膨胀受控状态。

11.根据权利要求1所述的方法，其中模拟所述光致抗蚀剂显影过程的所述方法包括随机地模拟所述光致抗蚀剂显影过程。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括校正全芯片上的所述掩模的光学近接性。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括放置及验证全芯片上的所述掩模子分辨率辅助特征。

14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括修复所述掩模子分辨率辅助特征。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括检验全芯片上的所述掩模。

16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括识别、诊断及/或修复全芯片上的所述掩模热点。

17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括优化全芯片上的照明源。