[发明专利]成膜装置及成膜方法

说明书

抑制在层压表面存在除膜以外的成分。在成膜装置中，真空槽划分等离子体形成空间并具有含有石英的隔壁。防附着板设置在隔壁的至少一部分与等离子体形成空间之间，含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。支撑台能够载置基板，该基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔。等离子体产生源通过产生导入等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在底部及侧壁形成含硅的半导体膜。等离子体产生源通过产生导入等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在侧壁上的上述半导体膜。控制部能够在产生第一等离子体与产生第二等离子体之间切换。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置及成膜方法。

背景技术

随着近年来微细工艺的发展，需要一种在高长宽比的沟槽或孔(以下为沟槽等)内嵌入膜的技术。在这种情况下，已有如下的技术：通过交替地重复蚀刻和成膜来在沟槽等内层压膜从而在沟槽等内形成膜(层压膜)(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-134288号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如果通过交替地重复蚀刻和成膜来在沟槽等内形成膜，则有可能在沟槽等内形成的膜的层压表面存在膜之外的成分。

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种成膜装置及成膜方法，能够抑制在沟槽等内形成的膜中在层压表面上存在膜之外的成分。

用于解决问题的单元

为了达成上述目的，本发明的一形态的成膜装置具有真空槽、防附着板、支撑台、等离子体产生源、环状的第一喷嘴、环状的第二喷嘴以及控制部。

上述真空槽具有隔壁，所述隔壁划分等离子体形成空间并含有石英。

上述防附着板设置在上述隔壁的至少一部分与上述等离子体形成空间之间，并含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。

上述支撑台能够载置基板，所述基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔。

上述等离子体产生源通过产生导入上述等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在上述底部及上述侧壁形成含硅的半导体膜。上述等离子体产生源通过产生导入上述等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在上述侧壁上的上述半导体膜。

上述环状的第一喷嘴用于向上述等离子体形成空间导入上述成膜气体。

上述环状的第二喷嘴，直径比上述第一喷嘴小，用于向上述等离子体形成空间导入上述蚀刻气体。

上述控制部能够在产生上述第一等离子体与产生上述第二等离子体之间切换。

根据这样的成膜装置，含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种的上述防附着板设置在含有石英的上述隔壁与上述等离子体形成空间之间。由此，难以在形成在沟槽等中的半导体膜的层压表面存在除半导体膜以外的成分。

在上述的成膜装置中，上述防附着板也可以具有：基材，与上述隔壁对置并含有石英；以及保护层，设置在上述基材的与上述隔壁相反的一侧的表面。在上述保护层中，也可以含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。

根据这样的成膜装置，防附着板设置在含有石英的上述隔壁与上述等离子体形成空间之间，该防附着板具有：基材，与上述隔壁对置并含有石英；以及保护层，设置在上述基材的表面。在上述保护层中含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。由此，难以在形成在沟槽等中的半导体膜的层压表面存在除半导体膜以外的成分。

另外，为了达成上述目的，本发明的一形态的成膜装置具有真空槽、支撑台、等离子体产生源、环状的第一喷嘴、环状的第二喷嘴以及控制部。