[发明专利]成膜装置及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，具有：

真空槽，具有隔壁，所述隔壁划分等离子体形成空间并含有石英，

防附着板，设置在所述隔壁的至少一部分与所述等离子体形成空间之间，并含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种，

支撑台，能够载置基板，该基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔，

等离子体产生源，能够通过产生导入所述等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在所述底部及所述侧壁形成含硅的半导体膜，并通过产生导入所述等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在所述侧壁上的所述半导体膜，

环状的第一喷嘴，用于向所述等离子体形成空间导入所述成膜气体，

环状的第二喷嘴，直径比所述第一喷嘴小，用于向所述等离子体形成空间导入所述蚀刻气体，以及

控制部，能够切换产生所述第一等离子体与产生所述第二等离子体。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述防附着板具有：

基材，与所述隔壁对置，并含有石英，和

保护层，设置在所述基材的与所述隔壁相反的一侧的表面；

所述保护层含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。

3.一种成膜装置，其特征在于，具有：

真空槽，具有隔壁和保护层，所述隔壁划分等离子体形成空间并含有石英，所述保护层设置在与所述等离子体形成空间对置的所述隔壁的表面的至少一部分，并且所述保护层含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种，

支撑台，能够载置基板，该基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔，

等离子体产生源，通过产生导入所述等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在所述底部及所述侧壁形成含硅的半导体膜，并通过产生导入所述等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在所述侧壁上的所述半导体膜，

环状的第一喷嘴，用于向所述等离子体形成空间导入所述成膜气体，

环状的第二喷嘴，直径比所述第一喷嘴小，用于向所述等离子体形成空间导入所述蚀刻气体，以及

控制部，能够切换产生所述第一等离子体与产生所述第二等离子体。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述等离子体产生源由电感耦合方式的等离子体产生源构成。

5.一种成膜方法，其特征在于，

在划分等离子体形成空间并含有石英的隔壁内，在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面，产生含硅的成膜气体的成膜等离子体，由此在所述底部及所述侧壁形成含硅的半导体膜，其中，在所述隔壁的与上述等离子体形成空间对置的表面的至少一部分，设置有保护层，该保护层含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种，

在所述隔壁内，在所述基板的所述表面，产生含有卤素的蚀刻气体的蚀刻等离子体，由此，选择性地除去形成在所述侧壁上的所述半导体膜，

通过在所述基板的所述表面产生所述成膜等离子体，在所述底部及所述侧壁形成含硅的所述半导体膜，

使含氮的气体从向所述等离子体形成空间导入所述成膜气体的环状的第一喷嘴和向所述等离子体形成空间导入所述蚀刻气体的环状的第二喷嘴中的至少一个喷嘴导入所述等离子体形成空间，并通过等离子体产生源在所述等离子体形成空间中形成含氮的等离子体气体，来使附着在所述保护层上的所述半导体膜氮化，所述第二喷嘴的直径比所述第一喷嘴小。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

将选择性地除去形成在所述侧壁上的所述半导体膜的工序，与在所述底部及所述侧壁形成所述半导体膜的工序，重复2次以上。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

所述成膜气体及所述蚀刻气体分别含有共同的放电气体，

通过所述放电气体连续地产生所述成膜等离子体及所述蚀刻等离子体。