[发明专利]导电性膜和导电性膜的制造方法

说明书

本发明提供一种导电性膜，具有：高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×10²～1.0×10⁶Ω/□且表面电阻值的偏差为15％以下。

技术领域

本发明涉及导电性膜和导电性膜的制造方法。

背景技术

作为使用于触控面板等的透明电极的ITO(氧化铟锡)膜的代替品的高透明性、高导电性薄膜的原料，金属纳米线近年来正受到瞩目。这种金属纳米线通常通过在聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇等多元醇存在的情况下加热金属化合物来制造(非专利文献1)。

在专利文献1～3中公开在聚酯等高分子膜上直接形成了包含颗粒金属棒涂膜或金属纳米线的导电层的透明导电体。在这种情况下，通过将分散有颗粒状金属棒或金属纳米线的溶液直接涂敷在聚酯等高分子膜上，此后干燥去除溶剂成分从而形成导电层。

此外，在专利文件3中也公开了一种用于形成透明导电膜的墨，其包含银纳米线、水性溶剂、纤维素系粘结剂树脂和表面活性剂。在专利文献4中，公开了作为形成透明导电体的材料等而有效的银纳米线墨。在专利文献5中公开了一种导电层形成用的组合物，其包含金属纳米线、聚乙烯乙酰胺、水/醇溶剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-279434号公报；

专利文献2：日本特开2006-111675号公报；

专利文献3：日本特表2009-505358号公报；

专利文献4：日本特开2015-174922号公报；

专利文献5：日本特开2009-253016号公报。

非专利文献

非专利文献1：Ducamp-Sanguesa,et al.,J.Solid State Chem.,1992,100,272。

发明内容

发明要解决的课题

例如，根据专利文献1～3公开的现有技术，可认为能够将导电层制成低电阻的导电层。但是，在这样的现有技术中，难以降低导电材料的使用量，因此有成本方面、透明性的改善困难或导电性显现出各向异性的问题。此外，如专利文献1～5所述的现有技术那样，在涂敷包含棒状金属颗粒或金属纳米线的稀释涂敷液的技术中，棒状金属颗粒、金属纳米线在涂敷液中、涂敷后的溶液干燥工序中产生凝结，其结果是有表面电阻值产生偏差的问题。

本发明的目的在于提供一种能够抑制金属纳米线的使用量并且在宽的表面电阻值区域抑制表面电阻值的偏差的导电性膜。进而，提供一种适于生产性优异的导电性膜的制造方法。

用于解决课题的方案

为了达到上述目的，本发明的实施方式涉及的导电性膜具有：高分子膜、形成在所述高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及形成在所述基底树脂层之上的导电层，该导电层包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×10²～1.0×10⁶Ω/□且所述表面电阻值的偏差为15％以下。

此外，本发明的实施方式涉及的导电性膜的制造方法具有在高分子膜的至少一面形成基底树脂层的工序；以及将包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂、溶剂的金属纳米线墨涂敷在所述基底树脂层并使其干燥的工序，其中，该基底树脂层形成于所述高分子膜上。

发明效果