[发明专利]化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和脒化合物

说明书

本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R¹表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R²表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R³和R⁴各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)

技术领域

本发明涉及新的化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法、以及新的脒化合物。

背景技术

含有金属元素的薄膜材料显示出电特性和光学特性等，因而可应用于各种用途。例如，铜和含铜薄膜具有高导电性，高的抗电迁移性和高熔点等特性，因而可用作LSI的布线材料。另外，镍和含镍薄膜主要用于电阻膜、阻挡膜等电子元件的部件、磁性膜等记录介质用的部件、以及电极等薄膜太阳能电池用部件等。另外，钴和含钴薄膜用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁带、超硬工具部件等。

作为上述的薄膜的制造方法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热解法、溶胶-凝胶法等MOD法、化学气相沉积法等。其中，由于具有组成控制性、梯度覆盖性优异、适合量产化、可混合集成等多种优点，包括原子层沉积(以下，有时简记为ALD(Atomic LayerDeposition))法在内的化学气相沉积(以下，有时简记为CVD)法是最佳的制造方法。

作为用于化学气相沉积法的金属供给源，大量报道了各种原料。例如，专利文献1中公开了含有使用挥发性金属脒的金属的薄膜的形成方法。另外，专利文献2中公开了可用于化学气相蒸镀法或原子层蒸镀法的二氮杂二烯系金属化合物。专利文献1和专利文献2中，关于本发明的化合物，没有任何记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特表2006-511716号公报

专利文献2：特表2013-545755号公报

发明内容

发明要解决的课题

正在寻求在使化学气相沉积用原料等气化而在基体表面形成含有金属的薄膜的情况下，可以制造蒸气压高、熔点低、且高品质的含有金属的薄膜的薄膜形成用原料。在以往已知的薄膜形成用原料中，并不存在显示这种物性的原料。其中，为了提高生产率，有必要提高薄膜形成用原料的输送性，因此强烈要求熔点低的材料。

解决课题的手段

本发明人等反复研究，结果发现，特定的化合物可以解决上述课题，由此实现了本发明。

本发明提供下述通式(1)表示的化合物、含有其的薄膜形成用原料、以及使用该原料的薄膜的制造方法。

[化1]

式中，R¹表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R²表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R³和R⁴各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。

另外，本发明提供下述通式(2)表示的脒化合物。

[化2]

式中，R⁵表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R⁶表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R⁷和R⁸各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，L表示碳数1～4的链烷二基，