[发明专利]化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和脒化合物

权利要求书

1.下述通式(1)表示的化合物，

式中，R¹表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R²表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R³和R⁴各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示丙烷-1,2-二基，M表示钴。

2.薄膜形成用原料，其含有权利要求1所述的化合物。

3.薄膜的制造方法，其中，将含有气化权利要求2所述的薄膜形成用原料而得到的化合物的蒸气导入设置有基体的成膜室内，使该化合物分解和/或发生化学反应，在该基体的表面形成含有钴原子的薄膜。

4.薄膜的制造方法，其中，将包含气化含有下述通式(1)表示的化合物的薄膜形成用原料而得到的化合物的蒸气导入设置有表面的至少一部分上形成有铜层或钌层的硅基体或氧化硅基体的成膜室内，使该化合物分解和/或发生化学反应，在该硅基体或该氧化硅基体的该铜层或该钌层上选择性地形成含钴薄膜，

式中，R¹表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R²表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R³和R⁴各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示丙烷-1,2-二基，M表示钴。

5.下述通式(2)表示的脒化合物，

式中，R⁵表示叔丁基，R⁶表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R⁷和R⁸各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，L表示丙烷-1,2-二基。

6.权利要求1所述的化合物，其中，在上述通式(1)中，R¹为叔丁基。

7.权利要求4所述的薄膜的制造方法，其中，在上述通式(1)中，R¹为叔丁基。