[发明专利]太阳能电池的表面处理

说明书

本发明描述了使用表面处理制造太阳能电池的发射极区域的方法，以及所得太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括处理硅基板的表面以形成介于两个疏液区域之间的亲液区域，以及将包含硅材料的液相材料沉积到所述亲液区域中以形成发射极区域。

技术领域

本公开的实施例属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及使用表面处理形成发射极区域。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。所述电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

附图简略说明

图1示出了背面接触太阳能电池的剖视图，该背面接触太阳能电池具有形成于基板的背表面上方的发射极区域。

图2示出了背面接触太阳能电池的N型发射极区域和P型发射极区域的剖视图。

图3示出了制造太阳能电池的方法的流程图，该方法使用晶片基板的表面改性以限定发射极区域结构。

图4A-图4B示出了制造太阳能电池的方法的操作，该方法使用晶片基板的表面改性以限定发射极区域结构。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例示性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其他实施方式是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“某个实施例”。短语“在一个实施例中”或“在某个实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式进行组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。

“构造为”。各个单元或部件可描述或声明成“构造为”执行一项或多项任务。在此类语境下，“构造为”用于通过指示所述单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将所述单元/部件构造成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“构造为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”疏液区域并不一定暗示此疏液区域是某一序列中的第一个疏液区域；相反，术语“第一”用于区分此疏液区域与另一疏液区域(例如“第二”疏液区域)。

“耦接”-以下描述是指元件或节点或特征件被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征件直接或间接连接至另一个元件/节点/特征件(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。

“阻止”-如本文所用，阻止用于描述减小影响或使影响降至最低。当部件或特征件被描述为阻止行为、运动或条件时，它完全可以彻底地防止某种结果或后果或未来的状态。另外，“阻止”还可以指减少或减小可能会发生的某种后果、性能和/或效应。因此，当部件、元件或特征件称为阻止结果或状态时，它不一定完全防止或消除该结果或状态。