[发明专利]太阳能电池的表面处理

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，包括：

处理硅基板的表面，以形成介于第一疏液区域和第二疏液区域之间的亲液区域；以及

将包含硅材料的液相材料沉积到所述亲液区域中的所述表面上，以形成介于所述第一疏液区域和所述第二疏液区域之间的发射极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述表面以形成所述第一疏液区域和所述第二疏液区域包括形成氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中处理所述表面以形成所述第一疏液区域和所述第二疏液区域包括：

对所述表面进行氢化；以及

使氢化后的表面暴露于含氧气氛。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

利用UV辐射或激光照射提供的能量局部地促进氧化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述液相材料包括硅烷型聚合物和硅纳米颗粒中的一者或多者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅基板的所述表面为硅晶片上的氧化硅层上的硅层的表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅基板的所述表面为块体单晶硅基板的表面。

8.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。

9.一种制造太阳能电池的方法，包括：

处理硅基板的亲液表面，以提供介于第一疏液区域和第二疏液区域之间的亲液区域；以及

将包含硅材料的液相材料沉积到所述亲液区域中的所述表面上，以形成介于所述第一疏液区域和所述第二疏液区域之间的发射极区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中处理所述亲液表面以形成所述第一疏液区域和所述第二疏液区域包括形成氧化物层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中处理所述亲液表面以形成所述第一疏液区域和所述第二疏液区域包括：

对所述亲液表面进行氢化；以及

使氢化后的表面暴露于含氧气氛。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

利用UV辐射或激光照射提供的能量局部地促进氧化。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述液相材料包括硅烷型聚合物和硅纳米颗粒中的一者或多者。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述硅基板的所述亲液表面为硅晶片上的氧化硅层上的硅层的表面。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述硅基板的所述亲液表面为块体单晶硅基板的表面。

16.一种根据权利要求9所述的方法制造的太阳能电池。

17.一种制造太阳能电池的方法，包括：

处理硅基板的疏液表面，以提供介于第一疏液区域和第二疏液区域之间的亲液区域；以及

将包含硅材料的液相材料沉积到所述亲液区域中的所述表面上，以形成介于所述第一疏液区域和所述第二疏液区域之间的发射极区域。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述硅基板的所述疏液表面为硅晶片上的氧化硅层上的硅层的表面。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述硅基板的所述疏液表面为块体单晶硅基板的表面。

20.一种根据权利要求17所述的方法制造的太阳能电池。