[发明专利]离子束设备有效
| 申请号: | 201780067250.9 | 申请日: | 2017-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN109923655B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
| 发明(设计)人: | 厄尼斯特·E·艾伦;理查德·J·赫尔特;杰伊·R·沃利斯;基斯·A·米勒 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027;G03F1/74 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 离子束 设备 | ||
一种离子束设备可包括台板,所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中具有开口。所述设备还可包括可拆卸的结构,所述可拆卸的结构设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的结构可具有开口,所述可拆卸的结构的所述开口暴露出所述台板的表面。本公开的离子束设备可有利于直接进行维修。
技术领域
本发明及所阐述实施例大体来说涉及离子束装置领域。更具体来说,本发明及所阐述实施例涉及包括环绕衬底的晕圈(halo)或衬底平面结构(substrate planestructure)以及对所述衬底进行保持的台板的离子束设备。
背景技术
为在半导体晶片或其他衬底上形成所期望表面特征,可以预定图案将具有规定能量的离子束投射到所述衬底的表面上来将所述所期望特征“蚀刻”到所述衬底中。可采用台板来对衬底进行保持(hold the substrate)。在蚀刻工艺期间,可在横断由离子源投射到衬底上的离子束的方向上机械地驱动或“扫描”所述衬底。举例来说,如果离子束是沿水平面朝垂直取向的衬底投射,则所述衬底可在垂直方向上和/或在与所投射离子束垂直的侧向方向上被扫描。因此,衬底的整个表面可暴露至离子束。
用于在衬底上投射离子束的传统设备可包括环绕所述衬底的晕圈或晶片平面结构以及台板。晕圈或晶片平面结构可用于减轻在衬底的背面及边缘上进行的离子束曝光(ion beam exposure)。另外,晶片平面结构可用于减轻在台板上进行的离子束曝光及对所述台板附近的硬件及装备进行的离子束曝光。
在用于投射离子束的传统设备中使用的晶片平面结构一般是整体式结构(one-piece structure)。传统晶片平面结构的整体式结构设计的预防维修(preventativemaintenance)一般需要拆卸掉乃至可能替换整个所述晶片平面结构。因此,传统晶片平面结构的整体式结构设计的预防维修可能是昂贵的。此外,传统晶片平面结构的整体式结构设计的预防维修可能使用于投射离子束的相关联设备具有长的停运时间(operationaldowntime)。
鉴于这些及其他考量,本发明所作的改良可为有用的
发明内容
提供此发明内容是为了以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步阐述的一系列所选概念。此发明内容并非旨在识别所主张主题的关键特征或必不可少的特征,此发明内容也并非旨在用于帮助确定所主张主题的范围。
在一个实施例中,一种设备可包括台板,所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中具有开口。所述设备还可包括可拆卸的结构,所述可拆卸的结构设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的结构可具有开口,所述可拆卸的结构的所述开口暴露出所述台板的表面。
在另一实施例中,一种设备可包括台板,所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中可具有开口。可拆卸的环结构可设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的环结构可具有开口,所述可拆卸的环结构的所述开口暴露出所述台板的表面。
在又一实施例中,一种设备可包括台板。衬底可耦合到所述台板。所述设备还可包括衬底平面结构,所述衬底平面结构设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中可具有开口。所述衬底平面结构的前表面可与所述衬底的前表面对齐。可拆卸的环结构可设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的环结构可具有开口。所述衬底可设置在所述开口中。
附图说明
图1示出根据本发明一个实施例的离子束蚀刻系统的示意性方块图。
图2示出根据本发明一个实施例的衬底平面结构的前表面图。
图3示出根据本发明一个实施例的从图2中所示的线I-I的角度观察的衬底平面结构、台板、衬底及可拆卸的结构的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





