[发明专利]用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器

说明书

提出一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)，尤其借助于基于激光器的辐照方法。此外，提出一种半导体激光器。

技术领域

提出一种用于制造半导体激光器的方法和一种半导体激光器。

本专利申请要求德国专利申请10 2016 120 685.7的优先权，其公开内容通过参引并入本文。

背景技术

在从紫外至红外的光谱范围中的激光二极管开拓出越来越新的市场，例如在照明应用领域、投影应用领域和材料加工应用领域中，其中所述激光二极管例如相对于发光二极管的优点如在提高的发光密度方面发挥作用。这种激光二极管通常基本上基于例如在GaN或者GaAs衬底上的尽可能少缺陷的外延结构，其中n型接触部被施加在衬底背侧上。如试验已表明的那样，主要的电压份额降落在该n型接触部上，这会有问题，因为激光二极管的效率降低并且由此也会负面地损害器件稳定性。

发明内容

特定的实施方式的至少一个目的是，提出一种用于制造半导体激光器的方法。特定的实施方式的至少一个另外的目的是，提出一种半导体激光器。

这些目的通过根据独立权利要求的方法和主题来实现。所述方法和所述主题的有利的实施方式和改进形式在从属权利要求中表明并且此外从接下来的说明书和附图中得出。

根据至少一个实施方式，在用于制造半导体激光二极管的方法中，提供有源层，所述有源层设计并且设置用于，在半导体激光二极管运行时产生光。根据至少一个另外的实施方式，半导体激光二极管具有至少一个有源层，所述有源层设计和设置用于，在运行时在有源区域中产生光。在下文中描述的实施例和特征同样适用于半导体激光二极管以及适用于用于制造半导体激光二极管的方法。

有源层尤其能够是具有多个半导体层的半导体层序列的一部分。有源层例如能够具有恰好一个有源区域，经由所述有源区域能够在运行时放射激光。有源区域能够至少部分地通过半导体层序列与位于半导体层序列上的电极层的接触面来限定，也就是说，至少部分地通过如下面来限定，电流经由所述面注入半导体层序列并且由此注入有源层。此外，有源区域能够至少部分地也通过脊形波导结构来限定，也就是说，通过在半导体层序列的半导体材料中以长形的隆起部的形式形成的脊部来限定。此外，有源层也能够具有多个有源区域，所述有源区域能够经由数量对应的一个或多个所描述的措施形成。