[发明专利]用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器有效
| 申请号： | 201780067125.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109891691B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 艾尔弗雷德·莱尔;格奥尔格·布吕德尔;约翰·布鲁克纳;斯文·格哈德;穆罕默德·阿利;托马斯·阿德霍奇 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01L21/268;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体激光器 方法 | ||
1.一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法包括下述步骤：
-提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，
-将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，
-仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述局部热处理通过基于激光器的辐照方法(90)来进行。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在基于激光器的辐照方法(90)中使用激光，所述激光被所述衬底(1)至少部分地吸收。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述接触层(11)整面地施加在所述衬底(1)的下侧(10)上。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述接触层(11)除了边缘区域之外覆盖所述衬底(1)的整个下侧(10)。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触层(11)具有多个层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述热处理之后施加所述接触层(11)的另一层(14)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述另一层(14)至少施加在所述第一子区域(12)上。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触层(11)的所述至少一个第一子区域(12)施加在所述衬底(1)的下侧(10)中的凹部中。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触层(11)具有多个通过一个或多个第二子区域(13)彼此分开的第一子区域(12)，所述第一子区域局部地被热处理。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一子区域(12)设置在所述第一接触层(11)的边缘区域中。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体层序列(2)具有脊形波导结构(9)，并且所述至少一个第一子区域(12)平行于所述脊形波导结构(9)伸展。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述至少一个第一子区域(12)在所述衬底(1)的下侧(10)的俯视图中与所述脊形波导结构(9)重叠。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个第一子区域(12)具有一种或多种几何形状，所述几何形状选自：线、叉、圆、椭圆、螺旋、栅格、四边形、波浪线、弯折。
15.一种半导体激光器(100)，其具有：
-衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，
-在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上的接触层(11)，
其中所述接触层(11)连贯地具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，并且
其中所述至少一个第一子区域(12)被热处理，并且所述至少一个第二子区域(13)未被热处理。
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