[发明专利]用于片材结合的硅氧烷等离子体聚合物

权利要求书

1.一种制品，其包括：

第一片材，其包含第一片材结合表面；

第二片材，其包含第二片材结合表面；和

涂层，其包含第一涂层结合表面和第二涂层结合表面，所述涂层包含等离子体聚合的有机硅氧烷化合物；

第一涂层结合表面与第一片材结合表面结合，并且第二涂层结合表面与第二片材结合表面结合。

2.如权利要求1所述的制品，所述等离子体聚合的有机硅氧烷化合物通过将单体沉积在第一片材结合表面和第二片材结合表面中的至少一者上来形成。

3.如权利要求2所述的制品，所述单体包含式(R¹)_mSi(X¹)_n的化合物，其中，每个R¹独立地为芳基、烷基、烯基、炔基或其组合；m为1、2或3；每个X¹独立地为氢、卤素、羟基、烷氧基、氨基、芳基、烷基、烯基、炔基或其组合；并且n为1、2或3。

4.如权利要求3所述的制品，R¹是芳基，并且/或者X¹是烷氧基。

5.如权利要求3所述的制品，其中，所述单体为选自下组的至少一种单体：苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三溴硅烷、苯基三氯硅烷、二甲氧基二苯基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷、二溴二苯基硅烷、二氯二苯基硅烷、双(二甲氨基)二苯基硅烷、双(二乙氨基)二苯基硅烷、苯基硅烷和二苯基硅烷。

6.如权利要求2所述的制品，所述单体包含具有以下结构的二硅氧烷化合物，其中，R²-R⁷各自独立地为氢、卤素、羟基、烷氧基、氨基、芳基、烷基、烯基、炔基或其组合

7.如权利要求6所述的制品，其中，所述单体是六甲基二硅氧烷。

8.如权利要求1所述的制品，所述涂层包含聚(二苯基硅氧烷)。

9.如权利要求1-8中任一项所述的制品，第一涂层结合表面的表面能在40mJ/m²至75mJ/m²之间。

10.如权利要求1-8中任一项所述的制品，所述涂层的厚度小于100nm。

11.如权利要求1-8中任一项所述的制品，所述涂层包含底部涂层和顶部涂层，底部涂层在顶部涂层与第二片材之间，底部涂层的厚度在10nm至80nm之间，且顶部涂层的厚度在10nm至50nm之间。

12.如权利要求1-8中任一项所述的制品，使制品在氮气气氛中经受600℃的温度10分钟后，第一涂层结合表面与第一片材结合表面结合，并且结合能小于700mJ/m²。

13.如权利要求1-8中任一项所述的制品，其中，当制品在氮气气氛中经受600℃的温度10分钟时，气泡面积变化百分比小于10％。

14.一种制造制品的方法，所述方法包括：

通过使用等离子体CVD使单体沉积在第二片材的结合表面上，在第二片材的结合表面上形成包含等离子体聚合的有机硅氧烷化合物的涂层，所述涂层包含涂层结合表面；以及

使涂层结合表面结合到第一片材的结合表面。

15.如权利要求14所述的方法，其还包括：使结合表面暴露于氧气、氮气或其组合，以在第一片材的结合表面与涂层结合表面结合之前，增加涂层结合表面的表面能，所述涂层结合表面的表面能增加到40mJ/m²至75mJ/m²之间。