[发明专利]碳化钽的评价方法

说明书

一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价。

技术领域

本发明涉及碳化钽的评价方法。

本申请基于2016年11月8日在日本提出申请的专利申请2016－218082号来主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

碳化钽的硬度高，耐热性优异。碳化钽的熔点极高，为3880℃。因此，碳化钽被用作在高温下使用的各种构件的材料。例如，碳化钽被用于切削工具的部件、碳加热器的涂层、聚光型太阳能电池和SiC单晶所代表的半导体制造装置的构件等(参照专利文献1和专利文献2)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/081210号

专利文献2：日本特开2015－36189号公报

专利文献3：日本特开2013－103848号公报

专利文献4：日本特开2012－171812号公报

发明内容

碳化钽是组成式由TaC表示的钽的碳化物。在化学计量组成比中，钽和碳以1比1存在。但是，实际的碳化钽有时钽和碳的比率不完全为1比1。例如，作为碳化钽的亚稳态，已知有TaC_0.89。

当构成碳化钽的钽与碳的比率偏离化学计量组成比时，碳化钽的稳定性降低。因此，在例如将碳化钽用于涂层等情况下，可能成为开裂、剥离的原因。开裂、剥离影响到使用了碳化钽的构件的耐热性、耐蚀性等(参照专利文献1)。

另外，钽与碳的比率偏离化学计量组成比的碳化钽在将碳化钽用作半导体制造装置的构件的情况下，有时影响到半导体制造装置内的半导体晶体的生长环境。

例如，在使用了碳化钽的构件的半导体制造装置中使SiC单晶进行晶体生长的情况下，认为碳比率少的碳化钽吸收碳，成为生长环境中的C/Si比变动的原因。SiC单晶的晶体生长时的C/Si比变动成为Si微滴等缺陷、异构多态性的产生原因(参照专利文献3和专利文献4)。

为了解决这种问题，需要测量碳化钽的实际组成比。实际的碳化钽中的钽与碳的比率(以下有时称为“碳化率”)能够通过各种分析装置进行分析。

但是，对于碳化钽的碳化率的分析，需要花费时间和成本。另外，在将碳化钽用作装置等的构件的情况下，为了分析而需要破坏构件。一旦破坏了的构件变得不能使用，所以每次使用时都破坏构件是不现实的。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种碳化钽的碳化率的简单评价方法。

本发明人经过潜心研究，结果发现通过测量由碳化钽构成的构件表面的色度就能够分析碳化钽的碳化率。

即，为了解决上述问题，本发明提供以下的技术方案。

(1)本发明的一技术方案涉及的碳化钽的评价方法是根据色度对碳化率进行评价。

(2)在上述技术方案涉及的碳化钽的评价方法中，也可以通过L＊a＊b＊表色系来测量所述色度。

(3)在上述技术方案涉及的碳化钽的评价方法中，也可以根据使用分光光度计或照相机拍摄到的拍摄图像来求出所述色度。

(4)在上述技术方案涉及的碳化钽的评价方法中，所述碳化钽可以是选自由碳化钽构成的构件和用碳化钽进行了表面涂敷的构件中的构件。

(5)在上述技术方案涉及的碳化钽的评价方法中，所述构件可以是在SiC单晶生长用装置中使用的构件。