[发明专利]碳化钽的评价方法有效
| 申请号： | 201780065450.0 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109863387B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 野口骏介;大矢信之 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27;C30B23/06;C30B29/36;G01J3/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化 评价 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化钽的检测方法，是作为在SiC单晶生长用装置中使用的构件的碳化钽的检测方法，
根据由L＊a＊b＊表色系测定的所述碳化钽的色度和由X射线衍射测定的所述碳化钽的晶格常数，求得所述色度与所述晶格常数的相关关系，
根据所述晶格常数与所述碳化钽的碳化率的相关关系，求得表示所述色度与所述碳化率的关系的校正曲线，
根据所述色度对所述碳化率进行检测，
其中，所述色度表示从色彩除去了明度的、由色相和彩度所表示的颜色特性。
2.根据权利要求1所述的碳化钽的检测方法，
根据使用分光光度计或照相机拍摄到的拍摄图像来求出所述色度。
3.根据权利要求1或2所述的碳化钽的检测方法，
所述碳化钽是选自由碳化钽构成的构件和表面涂敷了碳化钽的构件中的构件。
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