[发明专利]具有用于阻挡RF信号耦合的结构的陶瓷RF滤波器

说明书

一种用于传输RF信号的陶瓷单块RF滤波器，包括介电材料块，所述介电材料块包括相对的顶表面和底表面、相对的纵向侧表面以及相对的横向侧表面。多个间隔开的通孔谐振器延伸穿过所述块并终止于所述块的所述顶表面和所述底表面中的开口。第二多个接地RF信号阻挡通孔延伸穿过所述块并终止于所述块的所述顶表面和所述底表面中的相应开口中。所述接地通孔以偏离关系安置和定位在第一多个通孔谐振器的相对侧上，用于阻挡所述RF信号在RF信号输入/输出与所述第一多个谐振器中的选定谐振器之间的耦合，以及在所述第一多个谐振器中的非相邻谐振器之间的耦合。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求2016年9月23日提交的第62/399,018号美国临时专利申请的申请日的优先权和权益，所述美国临时专利申请的公开内容以引用的方式全文明确地并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种射频(RF)滤波器，且更具体地说，涉及一种陶瓷单块RF滤波器，其中所述滤波器中的呈接地通孔形式的结构阻挡不需要的RF信号耦合并提供RF滤波器的带宽之外的额外RF信号抑制，而无需增加滤波器的长度或大小。

背景技术

陶瓷单块射频(RF)滤波器对频率在特定频率范围或频带之外的RF信号提供衰减/抑制，并且对频率在特定范围或感兴趣频带内的RF信号提供很小的抑制/衰减。

这些滤波器最典型地采用六面陶瓷材料块的形式，具有多个谐振器/极，所述谐振器/极呈延伸穿过块的内部并终止于块的相对顶表面和底表面或侧面的开口中的通孔形式，例如，如Sokola等人的第4,431,977号美国专利和Green等人的第4,692,726号美国专利中所示，所述美国专利的公开内容和描述以引用的方式并入本文中。

此种陶瓷单块滤波器的带通可以设计用于特定的带通要求。通常，带通越紧或越窄，插入损耗，即重要的电参数就越高。然而，更宽的带宽会降低滤波器衰减/抑制不需要的频率，即本领域中称为抑制频率的频率的能力。

此外，相邻和非相邻谐振器之间的无功RF信号耦合，以及因此带宽之外的抑制水平和此类滤波器的性能至少在某种程度上取决于每个谐振器的物理尺寸、谐振器相对于彼此的取向和位置，以及施加至滤波器块的顶表面或侧面的顶部金属化图案的外形。谐振器和块内以及周围的电场和电磁场的相互作用是复杂的并且难以预测。

目前，通过将谐振器添加至块的末端，可以实现提高滤波器带宽之外的RF信号的抑制水平并因此改善滤波器性能。然而，在空间受限的应用中，例如在客户的主板上，不希望增加块的长度或大小。

本发明涉及一种陶瓷单块RF滤波器，所述陶瓷单块RF滤波器通过使用结构来提高滤波器带宽之外的抑制水平并提高性能，在一个实施方案中，所述结构包括接地RF信号阻挡通孔，其以某种方式安置且定位在滤波器中，使得阻挡谐振器之间的不需要的RF信号耦合，但不需要增加RF滤波器的长度或大小。

发明内容

本发明总体上涉及一种用于传输RF信号的RF滤波器，包括：介电材料块，所述介电材料块包括相对的顶表面和底表面、相对的纵向侧表面以及相对的横向侧表面；在所述介电材料块上限定的至少第一和第二RF信号输入/输出；在所述介电材料块上限定的第一多个谐振器；以及在所述介电材料块上的构件，用于阻挡所述RF信号在所述第一和/或第二RF信号输入/输出与所述第一多个谐振器中的相应谐振器之间的耦合，或在所述第一多个谐振器中的相应非相邻谐振器之间的耦合。

在一个实施方案中，所述第一多个谐振器包括第一多个通孔谐振器，所述第一多个通孔谐振器延伸穿过所述介电材料块并终止于所述介电材料块的所述顶表面和所述底表面中的相应开口中，用于阻挡所述RF信号的所述耦合的构件包括一个或多个接地RF信号阻挡通孔，所述接地RF信号阻挡通孔延伸穿过所述介电材料块并终止于所述介电材料块的所述顶表面和所述底表面中的相应开口中，且以与所述第一多个通孔谐振器中的一个或多个通孔谐振器间隔开且偏离的关系定位。