[发明专利]具有补偿电路的二进制加权衰减器

说明书

具有补偿电路的二进制加权衰减器。在一些实施例中，射频(RF)衰减器电路可包括串联设置在输入节点和输出节点之间的多个衰减块，其中所述多个衰减块的每个衰减块包括旁路路径。所述RF衰减器电路可进一步包括相位补偿电路，所述相位补偿电路为针对具有相应的旁路路径的所述衰减块中的至少一些衰减块的每个衰减块而实现。所述相位补偿电路可配置为补偿与对应的旁路路径相关联的关断电容效应。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2016年8月30日提交的、发明名称为“BINARY-WEIGHTEDATTENUATOR HAVING COMPENSATION CIRCUIT”(具有补偿电路的二进制加权衰减器)的美国临时申请第62/381,376号的优先权，特此通过引用而将其整体公开内容合并于此。

技术领域

本申请涉及用于电子应用的衰减器。

背景技术

在诸如射频(RF)应用的电子应用中，有时期望对信号进行放大或衰减。例如，待发射信号可通过功率放大器进行放大，以及接收信号可通过低噪声放大器进行放大。在另一示例中，可视需要或期望沿着前述发射和接收路径的任一个或两者来实现一个或多个衰减器以衰减相应信号。

发明内容

根据一些实施方式，本申请涉及一种射频衰减器电路，其包括串联设置在输入节点和输出节点之间的多个衰减块，其中所述多个衰减块的每一个包括旁路路径。所述衰减器电路进一步包括相位补偿电路，所述相位补偿电路为针对具有相应的旁路路径的所述衰减块中的至少一些衰减块的每一个而实现。所述相位补偿电路配置为补偿与对应的旁路路径相关联的关断电容效应。

在一些实施例中，所述衰减块可具有二进制加权衰减值。所述二进制加权衰减值可包括N个值，其中第i个值为A2^i-1，其中A为步进衰减值且i为从1至N的正整数。所述步进衰减值A可例如为大约1dB。数量N可例如包括2、3、4、5、6、7或8。

在一些实施例中，至少一个所述衰减块可不具有相位补偿电路。不具有相位补偿电路的所述至少一个衰减块可包括具有最低衰减值的衰减块。

在一些实施例中，至少一个衰减块可配置为pi衰减器。具有pi衰减器的所述至少一个衰减块可包括具有最高衰减值的衰减块。

在一些实施例中，具有所述pi衰减器的所述衰减块的所述旁路路径可包括旁路开关晶体管，所述旁路开关晶体管配置为在所述衰减块处于旁路模式中时导通且在处于衰减模式中时关断，使得在处于衰减模式中时所述旁路开关晶体管提供关断电容(off-capacitance)。具有所述pi衰减器的所述衰减块的所述相位补偿电路可包括配置为在所述衰减块处于衰减模式中时补偿所述关断电容的相位补偿电路。所述pi衰减器可包括电阻、实现在所述电阻的一端和地之间的第一分流路径、以及实现在所述电阻的另一端和地之间的第二分流路径。所述第一分流路径和所述第二分流路径的每一个可包括分流电阻。

在一些实施例中，与所述pi衰减器相关联的所述相位补偿电路可包括布置为与所述第一分流电阻电并联的第一补偿电容、以及布置为与所述第二分流电阻电并联的第二补偿电容。所述旁路开关晶体管的所述关断电容可导致相位超前变化，且所述相位补偿电路可配置为提供相位滞后变化来补偿所述相位超前变化。所述第一分流电阻和所述第二分流电阻可具有基本上相同的值，且所述第一补偿电容和所述第二补偿电容具有基本上相同的值。

在一些实施例中，所述相位超前变化的量可计算为且所述相位滞后变化的量可计算为其中ω为2π乘以频率，R_L为负载阻抗，R₁为电阻，C_C为第一本地补偿电容，以及R′₂为所述第一分流电阻和所述负载阻抗的并联布置的等效电阻。可选择所述第一补偿电容的值，使得所述相位滞后变化的幅值和所述相位超前变化的幅值基本上相同。可选择所述补偿电容的值，使得所述衰减块的增益在一选定频率范围上为近似平坦的。