[发明专利]具有补偿电路的二进制加权衰减器在审
申请号: | 201780064950.2 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN109964407A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 颜燕;J·李 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H03H7/25 | 分类号: | H03H7/25;H03H7/54 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衰减块 相位补偿电路 旁路路径 二进制加权 衰减器电路 补偿电路 衰减器 串联设置 关断电容 输出节点 输入节点 可配置 射频 关联 | ||
1.一种射频衰减器电路,包括:
多个衰减块,其串联设置在输入节点和输出节点之间,所述多个衰减块中的每一个包括旁路路径;以及
相位补偿电路,其针对具有相应的旁路路径的所述衰减块中的至少一些衰减块中的每一个而实现,所述相位补偿电路配置为补偿与对应的旁路路径相关联的关断电容效应。
2.如权利要求1所述的衰减器电路,其中所述衰减块具有二进制加权衰减值。
3.如权利要求2所述的衰减器电路,其中所述二进制加权衰减值包括N个值,其中第i个值为A2i-1,其中A为步进衰减值且i为从1至N的正整数。
4.如权利要求3所述的衰减器电路,其中所述步进衰减值A大约为1dB。
5.如权利要求3所述的衰减器电路,其中数量N包括2、3、4、5、6、7或8。
6.如权利要求1所述的衰减器电路,其中所述衰减块中的至少一个不具有相位补偿电路。
7.如权利要求6所述的衰减器电路,其中不具有相位补偿电路的所述至少一个衰减块包括具有最低衰减值的衰减块。
8.如权利要求1所述的衰减器电路,其中所述衰减块中的至少一个配置为pi衰减器。
9.如权利要求8所述的衰减器电路,其中具有所述pi衰减器的至少一个衰减块包括具有最高衰减值的衰减块。
10.如权利要求8所述的衰减器电路,其中具有所述pi衰减器的所述衰减块的所述旁路路径包括旁路开关晶体管,所述旁路开关晶体管配置为在所述衰减块处于旁路模式中时导通且在处于衰减模式中时关断,使得在处于衰减模式中时所述旁路开关晶体管提供关断电容。
11.如权利要求10所述的衰减器电路,其中具有所述pi衰减器的所述衰减块的所述相位补偿电路包括配置为在所述衰减器块处于衰减模式中时补偿所述关断电容的相位补偿电路。
12.如权利要求11所述的衰减器电路,其中所述pi衰减器包括电阻、实现在所述电阻的一端和地之间的第一分流路径、实现在所述电阻的另一端和所述地之间的第二分流路径,所述第一分流路径和所述第二分流路径中的每一个包括分流电阻。
13.如权利要求12所述的衰减器电路,其中与所述pi衰减器相关联的所述相位补偿电路包括:布置为与所述第一分流电阻电并联的第一补偿电容,以及布置为与所述第二分流电阻电并联的第二补偿电容。
14.如权利要求13所述的衰减器电路,其中所述旁路开关晶体管的所述关断电容导致相位超前变化,且所述相位补偿电路配置为提供相位滞后变化来补偿所述相位超前变化。
15.如权利要求14所述的衰减器电路,其中所述第一分流电阻和所述第二分流电阻具有基本上相同的值,且所述第一补偿电容和所述第二补偿电容具有基本上相同的值。
16.如权利要求15所述的衰减器电路,其中所述相位超前变化的量计算为且所述相位滞后变化的量可计算为其中ω为2π乘以频率,RL为负载阻抗,R1为电阻,CC为第一本地补偿电容,以及R′2为所述第一分流电阻和所述负载阻抗的并联布置的等效电阻。
17.如权利要求16所述的衰减器电路,其中选择所述第一补偿电容的值使得所述相位滞后变化的幅值与所述相位超前变化的幅值基本上相同。
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