[发明专利]细胞VAMP切割测定

权利要求书

1.一种包含VAMP表位的抗原多肽，其中所述抗原多肽由10至65个氨基酸残基组成，其中所述VAMP表位包含与包含至少8个氨基酸残基的VAMP序列有至少90％同一性的氨基酸序列，所述至少8个氨基酸残基直接位于所述VAMP中梭菌神经毒素切割位点的C-末端。

2.根据权利要求1的抗原多肽，其中所述多肽由10至17个氨基酸残基，优选10至16个氨基酸残基，更优选10至15个氨基酸残基组成。

3.根据权利要求1或2的抗原多肽，其中所述VAMP选自VAMP1、VAMP2、VAMP3、VAMP4、VAMP5和/或YKT6。

4.根据权利要求1至3中任一项的抗原多肽，其中所述VAMP表位包含或组成为与选自SEQ ID NO：15至SEQ ID NO：34，和SEQ ID NO：48至SEQ ID NO：78的VAMP序列有至少90％同一性的氨基酸序列。

5.根据权利要求1至4中任一项的抗原多肽，其中所述VAMP表位是VAMP1、VAMP2和/或VAMP3表位，并且选自：

-包含或组成为KLSELDDRADALQ(SEQ ID NO：15)的BoNT/F或BoNT/D VAMP表位；

-包含或组成为ERDQKLSELDDRA(SEQ ID NO：32)的BoNT/F5或BoNT/FA VAMP表位；

·包含或组成为FETSAAKLKRKYW(SEQ ID NO：22)或FETSAAKLKRKYWWK(SEQ ID NO：49)的BoNT/B或TeNT VAMP表位；

-包含或组成为AKLKRKYWWKN(SEQ ID NO：27)的BoNT/G VAMP表位；和

-包含或组成为ADALQAGASQF(SEQ ID NO：53)的BoNT/X VAMP表位。

6.根据权利要求1至4中任一项的抗原多肽，其中所述VAMP表位是VAMP4、VAMP5和/或YKT6表位，并且选自：

-包含或组成为SESLSDNATAF(SEQ ID NO：62)，SDQLLDMSSTF(SEQ ID NO：66)或SEVLGTQSKAF(SEQ ID NO：75)的BNT/X VAMP表位。

7.一种包含前述权利要求中任一项的抗原多肽的多肽，其中所述多肽不包含大于17，优选16，更优选15个连续氨基酸的区域，所述连续氨基酸与天然存在的VAMP氨基酸序列具有100％序列同一性。

8.一种抗原蛋白，其包含根据权利要求1至6中任一项的多肽，或根据权利要求7的多肽，所述抗原蛋白与载体共价连接。

9.根据权利要求1至6中任一项的抗原多肽、或根据权利要求7的多肽、或根据权利要求8的抗原蛋白用于产生针对C末端VAMP切割产物的抗体的用途。

10.一种抗体，其结合根据权利要求1至6中任一项的抗原多肽，或根据权利要求7的多肽，或根据权利要求8的抗原蛋白。

11.根据权利要求10的抗体，其中所述抗体是多克隆抗体。

12.根据权利要求10的抗体，其中所述抗体是单克隆抗体。

13.根据权利要求10至12中任一项的抗体，其中所述抗体与所述表位之间的K_D低于10^-7M。

14.根据权利要求10至13中任一项的抗体在信号增益细胞测定中的用途，所述细胞测定用于通过切割VAMP的梭菌神经毒素进行VAMP切割。