[发明专利]附调温装置的液体材料吐出装置、其涂布装置及涂布方法有效

专利信息
申请号: 201780061874.X 申请日: 2017-10-05
公开(公告)号: CN109789435B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 生岛和正 申请(专利权)人: 武藏工业株式会社
主分类号: B05C11/10 分类号: B05C11/10;B05C5/00;B05D1/26;B05D3/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 调温 装置 液体 材料 吐出 方法
【说明书】:

本发明的课题,在于提供即便在经加热的平台上也可一边通过调温装置对液体材料的温度进行调节一边进行无吐出量不均的涂布作业的装置及方法。本发明是一种液体材料吐出装置、具备该装置的涂布装置及使用该涂布装置的涂布方法,该液体材料吐出装置具备吐出口、与吐出口连通的液室、及对液室的温度进行调节的调温装置,且一边使工件与吐出口相对移动一边将液体材料自吐出口吐出,其中,其具备供与上述调温装置进行热交换的冷媒流动的冷媒流路、及对吐出动作进行控制的吐出控制装置。

技术领域

本发明是关于附调温装置的液体材料吐出装置、其涂布装置及涂布方法,尤其关于即便在温度大幅地不同的两个以上的作业环境下进行吐出作业,也可精度良好地进行液体材料的温度调节的吐出装置、其涂布装置及涂布方法。在本说明书中,将「空气(air)」的用语不以限定于空气的意思而使用,而以也包含其他气体(例如氮气)的意思而使用。另外,在本说明书中,将「热源」的用语以包含加热源与冷热源双方的意思而使用。

背景技术

在将半导体芯片以覆晶(flip chip)方式进行安装时,为了防止因半导体芯片与基板的热膨胀系数的差距所产生的应力集中于连接部而将连接部破坏的情形,而实施在半导体芯片5与基板2之间隙填充树脂4从而将连接部3加以补强的底部填充工序(参照图15)。底部填充工序通过在沿着半导体芯片5的外周涂布液状树脂4,而利用毛细管现象将树脂4填充至半导体芯片5与基板2之间隙后,利用烘箱等进行加热使树脂4硬化而进行。

近年来,随着制品越来越小型化、薄型化,覆晶方式的半导体芯片5或基板2本身也越来越小型化、薄型化。由于若变得小型、薄型,热便容易传递至半导体芯片5或基板2,因此容易受周围温度的影响,连接部3便会因由此所产生的上述应力而容易破坏。因此,为了确实地进行底部填充工序中的增强而对基板进行加热,以降低树脂的黏度而可容易地进行填充。

例如,在专利文献1中,揭示有如下的基板加热装置,其是通过吹喷经加热的气体而对基板进行加热装置,其特征在于具备:加热单元,其具有朝向基板的底面向上方突出而被设置的突出部,且形成有一端与在突出部的上表面开口的吹出孔连通而另一端与气体供给部连通的气体流路;气体加热手段,其对在气体流路内流动的气体进行加热;开闭阀,其对气体朝向气体流路的流入进行开启/关闭(ON/OFF);及阀控制部,其通过控制开闭阀的开闭动作而将基板加热至目标温度。

然而,在仅在涂布时进行基板加热的基板加热装置中,存在有如下的问题:由于在涂布前后的搬送时处于非加热状态,因而涂布时与搬送时的温度变化变大,使得连接部因前述的热膨胀系数的差所产生的应力的变化变大而容易破坏。

因此,申请人提出有如下的基板加热装置,其是通过涂布作业之前后使载置有半导体芯片的基板的温度变化变小,而可防止连接部的破坏,且用于对朝一方向被搬送并在搬送的中途对被配置于其上的工件进行涂布作业的基板自下方进行加热装置;其特征在于具备:加热构件,其具备抵接于上述基板的底面而对基板进行加热的平坦的上表面、及被形成于该上表面而对上述基板的底面喷出加热用气体的喷出用开口;以及升降机构,其使加热构件进行升降(专利文献2)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本专利特开2005-211874号公报

专利文献2:日本专利第5465846号公报

发明内容

(发明所要解决的问题)

液体材料的黏度等特性由于会因温度而不同,因此存在有一边通过调温装置对液体材料的温度进行控制一边进行涂布作业的情形。然而,在在经加热的平台上进行涂布作业的情形时,存在有调温装置因来自平台的辐射热被过度地加热而难以进行温度控制的问题。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武藏工业株式会社,未经武藏工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780061874.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top