[发明专利]具有溴正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤

说明书

根据实施方式，光纤可以包含纤芯部分，其包括外半径r_C和最大相对折射率Δ_C最大值。包层可以围绕纤芯部分并且包括低折射率凹陷和外包层。低折射率凹陷可以围绕纤芯部分，并且包括外半径r_T和相对折射率Δ_T。外包层可以围绕低折射率凹陷并与其直接接触。外包层可以由包含大于1.0重量％溴的基于二氧化硅的玻璃形成，并且具有相对折射率Δ_OC，其中，Δ_C最大值>Δ_OC>Δ_T。光纤的光缆截止可以小于或等于1530nm。光纤在1550nm波长处的衰减可以小于或等于0.185dB/km。

本申请根据35 U.S.C.§119，要求2016年09月30日提交的美国临时申请系列第62/402,283号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

背景技术

技术领域

本说明书总体涉及具有低弯曲损耗的光纤，更具体地，涉及具有低弯曲损耗的单模光纤。

技术背景

存在对于低弯曲损耗的光纤的需求，特别是用于所谓的接入“(acces)”的光纤以及前体(FTTx)光学网络的光纤。可以在此类网络中以诱发传输通过光纤的光信号中的弯曲损耗的方式配置光纤。一些施加诱发弯曲损耗的物理需求(例如紧弯曲半径、光纤的压缩等)的应用包括光纤在光学下降电缆组件中的配置，具有工厂安装终端系统(FITS)和膨胀圈的分布电缆，位于连接馈电线和分布电缆的机柜内的小弯曲半径多端口，以及分配器和下降电缆之间的网络接入点中的跳线。

发明内容

根据实施方式，光纤可以包含纤芯部分，其包括外半径r_C和最大相对折射率Δ_C最大值。包层可以围绕纤芯部分并且包括低折射率凹陷和外包层。低折射率凹陷可以围绕纤芯部分，并且包括外半径r_T和相对折射率Δ_T。外包层可以围绕低折射率凹陷并与其直接接触。外包层可以由包含大于1.0重量％溴的基于二氧化硅的玻璃形成，并且具有相对折射率Δ_OC，其中，Δ_C最大值>Δ_OC>Δ_T。光纤的光缆截止可以小于或等于1530nm。光纤在1550nm波长处的衰减可以小于或等于0.185dB/km。

根据一些其他实施方式，光纤可以包含纤芯部分，其包括外半径r_C和最大相对折射率Δ_C最大值。包层可以围绕纤芯部分。包层可以包括低折射率凹陷和外包层。低折射率凹陷可以围绕纤芯部分，并且具有外半径r_T和相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率Δ_T。外包层可以围绕低折射率凹陷并与其直接接触。外包层可以由基于二氧化硅的玻璃形成，所述基于二氧化硅的玻璃包含大于0.25重量％溴或溴化合物且相对于纯二氧化硅玻璃具有相对折射率Δ_OC，其中，Δ_C最大值>Δ_OC>Δ_T。光纤的光缆截止可以小于或等于1530nm。与纤芯部分直接相邻的区域的轴向应力小于2.5MPa。

在以下的详细描述中提出了本文所述光纤的其他特征和优点，其中的部分特征和优点对本领域的技术人员而言，根据所作描述就容易看出，或者通过实施包括以下详细描述、权利要求书以及附图在内的本文所述的实施方式而被认识。

应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述都描述了各种实施方式且都旨在提供用于理解所要求保护的主题的性质和特性的总体评述或框架。包括的附图提供了对各种实施方式的进一步理解，附图并入本说明书中并构成说明书的一部分。附图例示了本文所描述的各种实施方式，且与描述一起用于解释所要求保护的主题的原理和操作。

附图说明