[发明专利]具有溴正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤在审
| 申请号： | 201780061024.X | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109863436A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克班德;S·B·道斯;李明军;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02;G02B6/028 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低折射率 外包层 凹陷 纤芯 光纤 折射率 最大相对折射率 掺杂包层 单模光纤 二氧化硅 弯曲损耗 波长 包层 衰减 光缆 截止 玻璃 | ||
1.一种光纤，其包括：
纤芯部分，其包括外半径rC和相对于纯二氧化硅玻璃的最大相对折射率ΔC最大值；
围绕纤芯部分的包层，所述包层包括：
围绕纤芯部分的低折射率凹陷，所述低折射率凹陷包括外半径rT和相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率ΔT；和
围绕并直接接触低折射率凹陷的外包层，所述外包层由基于二氧化硅的玻璃形成，所述基于二氧化硅的玻璃包含大于1.0重量％溴和具有相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率ΔOC，其中：
光纤包括小于或等于1530nm的光缆截止；
ΔC最大值>ΔOC>ΔT；和
光纤在1550nm波长处的衰减小于或等于0.185dB/km。
2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤在1310nm波长处的模场直径MFD大于9μm。
3.如权利要求1-2中任一项所述的光纤，其特征在于，光纤在1550nm的15mm直径弯曲损耗小于0.5dB/圈。
4.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，光纤的光缆截止小于1260nm。
5.如权利要求1-4中任一项所述的光纤，其特征在于，光纤的零色散波长λ0大于或等于1300nm且小于或等于1324nm。
6.如权利要求1-5中任一项所述的光纤，其特征在于，外包层中的溴浓度小于或等于3重量％。
7.如权利要求1-6中任一项所述的光纤，其特征在于，外包层中的溴浓度大于或等于1.2重量％且小于或等于2.0重量％。
8.如权利要求1-7中任一项所述的光纤，其特征在于，相对于纯二氧化硅玻璃，ΔOC大于或等于0.1％且小于或等于0.4％。
9.如权利要求1-8中任一项所述的光纤，其特征在于，低折射率凹陷具有体积分布VT且|VT|大于或等于30％Δμm2。
10.如权利要求1-9中任一项所述的光纤，其特征在于，低折射率凹陷与纤芯部分直接接触。
11.如权利要求10所述的光纤，其特征在于，纤芯部分具有α分布，且α大于或等于1且小于或等于5.0。
12.如权利要求10所述的光纤，其特征在于：
纤芯部分的外半径rC大于或等于4微米且小于或等于10微米；和
外半径rT大于或等于14微米且小于或等于25微米。
13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，包层还包括围绕了纤芯部分并且与纤芯部分和低折射率凹陷直接接触的内包层，所述内包层包括外半径rIC和相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率ΔIC，其中，ΔC最大值>ΔIC且ΔIC>ΔT。
14.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，纤芯部分具有α分布，且α大于或等于10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司，未经康宁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780061024.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
