[发明专利]堆叠列状集成电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一IC裸片，包括第一列的级联耦合资源块，所述第一列的级联耦合资源块被配置为形成资源块的管线；

第二IC裸片，包括第二列的级联耦合资源块，所述第二列的级联耦合资源块被配置为形成资源块的管线，其中所述第二IC裸片的其上形成有第二集成电路装置的有源侧被安装至所述第一IC裸片的其上形成有第一集成电路装置的有源侧，以使所述第一IC裸片的有源侧与所述第二IC裸片的有源侧相对；以及

多个电连接件，位于所述第一IC裸片的有源侧和所述第二IC裸片的有源侧之间，所述多个电连接件包括位于所述第一列的级联耦合资源块中的资源块的管线和所述第二列的级联耦合资源块中的资源块的管线之间的至少一个电连接件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一IC裸片和所述第二IC裸片包括公共平面布置，并且其中所述第二IC裸片相对于所述第一IC裸片翻转。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一列的级联耦合资源块关于所述第一IC裸片的中心线对称，并且所述第二列的级联耦合资源块关于所述第二IC裸片的中心线对称。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个电连接件包括位于所述第一列的级联耦合资源块中的至少一个资源块与所述第二列的级联耦合资源块中的相应至少一个资源块之间的电连接件。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一列的级联耦合资源块和所述第二列的级联耦合资源块中的每个资源块均包括单向级联。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一列的级联耦合资源块和所述第二列的级联耦合资源块中的每个资源块均包括双向级联。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是现场可编程门阵列(FPGA)。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成包括第一列的级联耦合资源块的第一IC裸片，所述第一列的级联耦合资源块被配置为形成资源块的管线；

形成包括第二列的级联耦合资源块的第二IC裸片，所述第二列的级联耦合资源块被配置为形成资源块的管线；

将所述第二IC裸片的其上形成有第二集成电路装置的有源侧安装至所述第一IC裸片的其上形成有第一集成电路装置的有源侧，以使所述第一IC裸片的有源侧与所述第二IC裸片的有源侧相对，并且在所述第一IC裸片的有源侧和所述第二IC裸片的有源侧之间形成多个电连接件，所述多个电连接件包括位于所述第一列的级联耦合资源块中的资源块的管线和所述第二列的级联耦合资源块中的资源块的管线之间的至少一个电连接件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一列的级联耦合资源块平行于所述第一IC裸片的Y轴并且关于所述第一IC裸片的X轴对称，所述第一IC裸片的X轴垂直于其Y轴，以及其中所述第二列的级联耦合资源块平行于所述第二IC裸片的Y轴并且关于所述第二IC裸片的X轴对称，所述第二IC裸片的X轴垂直于其Y轴。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中安装步骤包括：

相对于所述第一IC裸片翻转所述第二IC裸片。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述至少一个电连接件包括位于所述第一列的级联耦合资源块中的至少一个资源块与所述第二列的级联耦合资源块中的相应至少一个资源块之间的电连接件。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一列的级联耦合资源块和所述第二列的级联耦合资源块中的每个资源块均包括单向级联。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一列的级联耦合资源块和所述第二列的级联耦合资源块中的每个资源块均包括双向级联。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一IC裸片形成在第一晶圆上，所述第二IC裸片形成在第二晶圆上，并且安装步骤包括将所述第一晶圆安装至所述第二晶圆。