[发明专利]压力传感器在审
申请号: | 201780057893.5 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN109716088A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 泷本和哉;森田将裕;堺理人;田中达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社鹭宫制作所 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力传感器 压力检测元件 粘结剂层 支撑部件 固化层 检测 温度响应性 固定压力 芯片安装 压阻效应 支撑压力 粘结剂 形变 两层 流体 涂覆 粘结 | ||
本发明的目的在于提供压力传感器,在使用了利用压阻效应等的压力检测元件的压力传感器中,减少由温度变化引起的压力检测元件的形变,从而能够实现精度的提高以及温度响应性的改善。本发明的压力传感器(100)具备:检测流体的压力的压力检测元件(126);支撑压力检测元件(126)的支撑部件(125);以及粘结并固定压力检测元件(126)与支撑部件(125)的涂覆粘结剂而形成的粘结剂层(125A),该压力传感器的特征在于,粘结剂层(125A)由初始固化层(125A1)和芯片安装固化层(125A2)这两层构成。
技术领域
本发明涉及压力传感器,尤其涉及使用了利用压阻效应等的压力检测元件的压力传感器。
背景技术
一直以来,作为检测流体的压力的压力传感器,例如公知专利文献1所公开的使用了利用压阻效应等的半导体压力传感器片等压力检测元件的压力传感器。
压阻方式的压力检测元件具有具备膜片和电桥电路的构造,其中,膜片由具有压阻效应的材料(例如单晶硅)构成,电桥电路在膜片上形成多个半导体应变仪,并且桥接上述半导体应变仪而成。而且,通过从电桥电路以电信号的方式获取与膜片的变形对应的半导体应变仪的应变仪电阻的变化,能够检测流体的压力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5044896号公报
专利文献2:日本专利第3987386号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在使用了上述的压力检测元件的压力传感器中,压力检测元件例如利用粘结剂而固定于由Fe·Ni系合金、不锈钢等金属材料形成的支柱、壳体等支撑部件。此处,若周围温度变化,则因压力检测元件、支柱部件以及粘结剂的线膨胀系数的差异而产生热应力。也就是说,例如在周围温度降低了的情况下,与压力检测元件相比,粘结剂收缩,并在周围温度上升了的情况下,与压力检测元件相比,粘结剂膨胀。若产生该热应力,则压力检测元件形变,并且压力检测元件的输出特性变化,从而有传感器输出的精度降低的问题。并且,因粘结剂的粘弹性的性质,在热应力变化后至应力成为平衡状态为止需要时间,从而也有温度响应性恶化的问题。
因此,本发明的目的在于提供一种压力传感器,在使用了利用压阻效应等的压力检测元件的压力传感器中,能够减少由温度变化引起的压力检测元件的形变,从而能够实现精度的提高以及温度响应性的改善。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题,本发明的压力传感器具备:压力检测元件,其检测流体的压力;支撑部件,其支撑上述压力检测元件;以及粘结剂层,其涂覆粘结剂来形成,粘结并固定上述压力检测元件与上述支撑部件,上述压力传感器的特征在于,上述粘结剂层由初始固化层和芯片安装固化层这两层构成。
并且,优选上述初始固化层平坦地形成于上述支撑部件的整个表面。
并且,优选上述初始固化层形成为在上述支撑部件的表面的中央具有突起部分的形状。
并且,优选上述支撑部件的线膨胀系数为2~22[10-6/℃]。
并且,优选上述支撑部件的线膨胀系数为2.6~8.5[10-6/℃]。
并且,优选包含上述初始固化层以及上述芯片安装固化层的上述粘结剂层的厚度为5μm以上。
发明的效果如下。
根据本发明的压力传感器,在使用了利用压阻效应等的压力检测元件的压力传感器中,能够减少由温度变化引起的压力检测元件的形变,从而能够实现精度的提高以及温度响应性的改善。
附图说明
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