[发明专利]共源共栅放大器偏置电路

权利要求书

1.一种放大器电路，包括：

(a)共源共栅放大器，其具有至少两个串联连接的场效应晶体管(FET)级，每个FET级具有栅极、漏极和源极，底部FET级具有被配置成耦合至要放大的RF输入信号的输入，并且所述共源共栅放大器的顶部FET级具有用于提供经放大的RF输入信号的输出；

(b)共源共栅基准电路，其具有至少两个串联连接的FET级，每个FET具有栅极、漏极和源极，所述共源共栅基准电路的底部两个FET级的栅极耦合至所述共源共栅放大器的底部两个FET级的对应栅极，以将所述共源共栅放大器偏置成输出近似等于所述共源共栅基准电路中的镜像电流的倍数的最终电流；

(c)闭环偏置控制电路，其具有耦合至所述共源共栅基准电路的至少一个输入以及耦合至所述共源共栅放大器和所述共源共栅基准电路的底部FET级的栅极的输出，所述闭环偏置控制电路对所述共源共栅基准电路中的电压和/或电流的变化进行响应，以输出施加到所述共源共栅放大器和所述共源共栅基准电路的所述底部FET级的相应栅极的调整栅极偏置电压，所述调整栅极偏置电压促使所述共源共栅基准电路中的所述镜像电流近似等于选定电流值；以及

(d)耦合在所述共源共栅放大器的所述底部两个FET级中的每一个的对应栅极之间的相应解耦网络，其中，至少一个解耦网络包括用于改变耦合栅极的偏置电平的可编程电阻元件。

2.一种放大器电路，包括：

(a)共源共栅放大器，其具有至少两个串联连接的场效应晶体管(FET)级，每个FET级具有栅极、漏极和源极，底部FET级具有被配置成耦合至要放大的RF输入信号的输入，并且所述共源共栅放大器的顶部FET级具有用于提供经放大的RF输入信号的输出；

(b)共源共栅基准电路，其具有至少两个串联连接的FET级，每个FET具有栅极、漏极和源极，所述共源共栅基准电路的底部两个FET级的栅极耦合至所述共源共栅放大器的底部两个FET级的对应栅极，以将所述共源共栅放大器偏置成输出近似等于所述共源共栅基准电路中的镜像电流的倍数的最终电流；

(c)电流源，其耦合至所述共源共栅基准电路的顶部FET级的漏极以及所述共源共栅基准电路和所述共源共栅放大器的底部FET级的相应栅极；以及

(d)耦合在所述共源共栅放大器的所述底部两个FET级中的每一个的对应栅极之间的相应解耦网络，其中，至少一个解耦网络包括用于改变耦合栅极的偏置电平的可编程电阻元件；

其中，所述共源共栅基准电路的和所述共源共栅放大器的所述底部FET级的所述相应栅极对所述共源共栅基准电路中的电压变化进行响应，使得促使所述共源共栅基准电路中的所述镜像电流近似等于选定电流值。

3.一种放大器电路，包括：

(a)共源共栅放大器，其具有至少两个串联连接的场效应晶体管(FET)级，每个FET级具有栅极、漏极和源极，底部FET级具有被配置成耦合至要放大的RF输入信号的输入，并且所述共源共栅放大器的顶部FET级具有用于提供经放大的RF输入信号的输出；

(b)共源共栅基准电路，其具有至少两个串联连接的FET级，每个FET具有栅极、漏极和源极，所述共源共栅基准电路的底部两个FET级的栅极耦合至所述共源共栅放大器的底部两个FET级的对应栅极，以将所述共源共栅放大器偏置成输出近似等于所述共源共栅基准电路中的镜像电流的倍数的最终电流；

(c)电流源，其耦合至所述共源共栅基准电路的顶部FET级的漏极；

(d)源极跟随器FET，其具有栅极、漏极和源极，所述源极跟随器FET的所述漏极耦合至电压源，所述源极跟随器FET的所述栅极耦合至所述共源共栅基准电路的所述顶部FET级的所述漏极，并且所述源极跟随器FET的所述源极耦合至偏置电流源以及所述共源共栅基准电路和所述共源共栅放大器的底部FET级的栅极，所述源极跟随器FET对所述共源共栅基准电路中的电压和/或电流的变化进行响应，以输出施加到所述共源共栅放大器和所述共源共栅基准电路的所述底部FET级的相应栅极的调整栅极偏置电压，所述调整栅极偏置电压促使所述共源共栅基准电路中的所述镜像电流近似等于选定电流值；以及

(e)耦合在所述共源共栅放大器的所述底部两个FET级中的每一个的对应栅极之间的相应解耦网络，其中，至少一个解耦网络包括用于改变耦合栅极的偏置电平的可编程电阻元件。