[发明专利]稀释药液制造装置和稀释药液制造方法

说明书

一种稀释药液的制造装置，其具有下述构成：在超纯水W供给线(1)上具有负载有铂族金属的树脂柱(2)和膜式脱气装置(3)和气体溶解膜装置(4)，在负载有铂族金属的树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有洗涤药液的注入装置(5)。在膜式脱气装置(3)的气相侧连接着非活性气体源(6)并且在气体溶解膜装置(4)的气相侧也连接着非活性气体源(7)，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。基于该稀释药液的制造装置，能够在半导体洗涤时的洗涤工序中，安全地制造/供给已去除溶解氧以及溶解过氧化氢这两者的稀释药液。

技术领域

本发明涉及在电子产业领域等使用的稀释药液的制造装置以及制造方法，特别涉及消除了洗涤药液中的溶解气等带来的不好影响的高纯度的稀释药液的制造装置以及制造方法。

背景技术

半导体用硅基板、液晶用玻璃基板或者光掩膜用石英基板等电子材料，要求其表面高度清洁化，使用以超纯水对规定药液进行稀释而成的高纯度稀释药液以各种各样的方法进行湿式洗涤。此情况下，有时会因供给的超纯水中混有气泡而产生各种问题。例如，在层叠在半导体晶片上的薄膜上涂布抗蚀剂，透过形成有图案的掩膜进行曝光、显影后蚀刻，在薄膜上形成图案，在这样的光刻工序中，如果是在抗蚀剂液或者显影液中混有气泡的情况下就将其旋涂于半导体晶片的话，会发生因处理不均匀而引起的图案不好等故障。

因此，公开了各种用于解决气泡混入稀释药液的洗涤方法。在专利文献1中，公开了一种洗涤药液的制造方法，其为了降低在半导体的洗涤工序中使用的稀氢氟酸水溶液中的溶解氧，使用溶解氧量在10ppm以下的纯水进行稀释并在室温下使在洗涤工序中与稀氢氟酸水溶液接触的大部分气体成为非活性气体(氧的体积比率为21％以下)，由此，抑制稀氢氟酸中的溶解氧的上升。另外，在专利文献2以及专利文献3中，公开了一种技术，其为了降低药液中的溶解气种类而在药液储藏罐或药液输送线中设置采用了真空泵的脱气机构来进行脱气，由此，抑制溶解气种类向药液中的溶解。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-312359号公报。

专利文献2：日本特开平8-337296号公报。

专利文献3：日本特开平9-94447号公报。

发明内容

发明要解决的课题

另外，随着近年来半导体的微细化，逐渐明白了洗涤液中包含的极微量(ppb级别)的溶解氧、溶解过氧化氢会使洗涤半导体的电特性、可靠性劣化。因此，如专利文献1中记载的那样地使用溶解氧量在10ppm以下的纯水进行稀释的方法，其存在的问题是不能适用于当下的半导体制造工序中的表面洗涤而且也不能去除稀释前的洗涤药液即氢氟酸水溶液中本就含有的溶解氧。

对于专利文献2以及专利文献3的技术而言，在药液稀释工序中进行真空脱气来去除药液中的溶解气种类，因此，有可能大幅度地降低稀释药液中的溶解气种类。但是，在专利文献2以及专利文献3中存在以下的问题，即虽然为了降低药液中的溶解气种类而在药液储藏罐或药液输送线中设置了真空泵，但是通过真空泵对半导体表面洗涤所用的氢氟酸及氨等剧毒物的药液进行脱气，需要将真空泵换成耐试剂性、耐氢氟酸性并且随着剧毒物药液的雾气扩散会产生药液泄露等的危险。

进一步地，以专利文献1～3中的任一技术所制造的稀释药液，难以去除该稀释药液中所含的微量的过氧化氢，这种微量的过氧化氢会对电子材料的洗涤造成不好的影响。作为其对策，考虑了通过在载体上负载有铂族金属微粒的过氧化氢去除用催化剂来去除超纯水中的过氧化氢，但是，在铂族金属作用下分解过氧化氢时由于催化反应产生氧，超纯水中的溶解氧会增加。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够在半导体洗涤时的洗涤工序中安全地制造/供给已去除溶解氧以及溶解过氧化氢这两者后的高纯度的稀释药液的制造装置以及制造方法。

用于解决课题的手段