[发明专利]日照遮蔽构件

权利要求书

1.一种日照遮蔽构件，其为在透明基材上依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜及第4电介质膜的日照遮蔽构件，其特征在于，

该第1电介质膜由含有折射率为2.4以上的层的2层以上的电介质层形成，该第1电介质膜整体的折射率在1.8～2.0的范围内，

该第2电介质膜的光学膜厚为165～201nm，

该第3电介质膜的光学膜厚为147～182nm，

该第4电介质膜的光学膜厚为75～120nm，

该第1金属膜、第2金属膜及第3金属膜的几何学膜厚合计为30～40nm，

该第2金属膜的几何学膜厚相对于该第1金属膜及该第3金属膜各自的几何学膜厚在1.01～1.55的范围内。

2.根据权利要求1所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第1电介质膜具有由含Ti的氧化物形成的防反射层，该防反射层的光学膜厚为5～70nm。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第2电介质膜、第3电介质膜及第4电介质膜分别具有由含Zn及Sn的氧化物形成的电介质。

4.根据权利要求2所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第1电介质膜从该透明基材上起依次具有由含Si的氧化物形成的钝化层、所述由含Ti的氧化物形成的防反射层及由含Zn的氧化物形成的种子层。

5.根据权利要求1或权利要求4中任一项所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第1电介质膜的光学膜厚为105～140nm。

6.根据权利要求1或权利要求2或权利要求4中任一项所述的日照遮蔽构件，其特征在于，所述第4电介质膜具有由含Ti的氧化物形成的电介质的层，该第4电介质膜整体的平均折射率为1.85～2.05。

7.根据权利要求1或权利要求2或权利要求4中任一项所述的日照遮蔽构件，其特征在于，当所述日照遮蔽构件的透明基板为厚2mm的玻璃板时，在自该玻璃板的相对于玻璃表面的垂直方向倾斜10°及60°的位置中，基于CIE L^＊a^＊b^＊色彩空间得到的透过光及反射光的a^＊不足+3。