[发明专利]半导体光调制元件

权利要求书

1.一种半导体光调制元件，其特征在于，

在半绝缘性基板上以层叠构造形成光波导，所述层叠构造具有至少以作为n型或p型包层的第一包层、非掺杂的芯层及包层、作为p型或n型包层的第二包层的顺序层叠的pin结，

所述半导体光调制元件具备：

供电电极设置部，形成于所述层叠构造上；以及

至少两个供电电极，形成于所述供电电极设置部上，

至少两个所述供电电极与设置于所述光波导上的调制电极连接，

所述供电电极设置部以所述供电电极间电分离的方式按每个所述供电电极将所述层叠构造的所述第二包层与所述非掺杂的芯层及包层电分离，并且至少两个所述供电电极间经由所述层叠构造的所述第一包层而相互导通，

所述光波导和所述供电电极设置部对于所述层叠构造电分离，

所述供电电极具有以与所述半绝缘性基板相接的方式形成的供电焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体光调制元件，其特征在于，

所述光波导构成马赫－增德尔型光干涉计。

3.根据权利要求1所述的半导体光调制元件，其特征在于，

所述调制电极具有电容加载型的行波电极构造。

4.一种半导体光调制元件，其特征在于，

在半绝缘性基板上以层叠构造形成光波导，所述层叠构造具有至少以作为n型或p型包层的第一包层、非掺杂的芯层及包层、作为p型或n型包层的第二包层的顺序层叠的pin结，

所述半导体光调制元件具备：

供电电极设置部，形成于所述层叠构造上；以及

至少三个供电电极，形成于所述供电电极设置部上，

所述供电电极的至少两个与设置于所述光波导上的调制电极连接，所述供电电极的至少一个接地，

所述供电电极设置部以所述供电电极间电分离的方式按每个所述供电电极将所述层叠构造的所述第二包层与所述非掺杂的芯层及包层电分离，并且至少连接于所述调制电极的所述供电电极与接地的所述供电电极之间经由所述层叠构造的所述第一包层而相互导通，

所述光波导和所述供电电极设置部对于所述层叠构造电分离，

所述供电电极具有以与所述半绝缘性基板相接的方式形成的供电焊盘。

5.一种半导体光调制元件，其特征在于，

在半绝缘性基板上以层叠构造形成光波导，所述层叠构造具有至少以作为n型或p型包层的第一包层、非掺杂的芯层及包层、作为p型或n型包层的第二包层的顺序层叠的pin结，

所述半导体光调制元件具备：

供电电极设置部，形成于所述层叠构造上；以及

至少三个供电电极，形成于所述供电电极设置部上，

所述供电电极的至少两个与设置于所述光波导上的调制电极连接，所述供电电极的至少一个接地，

所述供电电极设置部以所述供电电极间电分离的方式按每个所述供电电极将所述层叠构造的所述第二包层与所述非掺杂的芯层及包层电分离，并且至少连接于所述调制电极的所述供电电极与接地的所述供电电极之间经由所述层叠构造的所述第一包层而相互导通，

所述光波导和所述供电电极设置部对于所述层叠构造电分离，

连接于所述调制电极的各供电电极经由所述第一包层而与接地的不同的至少一个所述供电电极导通。

6.根据权利要求4或5所述的半导体光调制元件，其特征在于，

所述光波导构成马赫－增德尔型光干涉计。

7.根据权利要求4或5所述的半导体光调制元件，其特征在于，

所述调制电极具有电容加载型的行波电极构造。