[发明专利]保护膜形成用组合物有效
申请号: | 201780056169.0 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109952631B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 桥本雄人;德永光;绪方裕斗;大桥智也;境田康志;岸冈高广 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C08G59/62;C08G65/28;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;李照明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 形成 组合 | ||
本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物;以及溶剂,相对于除去该溶剂后的固体成分,含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量%~60质量%,或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量%~100质量%。(式中,R1表示碳原子数1~4的亚烷基或亚烯基、或直接结合,k表示0或1,m表示1~3的整数,n表示2~4的整数。)
技术领域
本发明涉及在光刻工艺中,用于形成对过氧化氢水溶液的耐性优异的保护膜的组合物。进一步涉及应用上述保护膜来形成图案的方法。
背景技术
已知在基板与其上形成的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜、形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺。然而,以往的抗蚀剂下层膜例如专利文献1所记载的、由包含氨基塑料系交联剂的组合物形成的抗蚀剂下层膜针对过氧化氢水溶液的耐性差。因此,不能将这样的抗蚀剂下层膜用作使用了过氧化氢水溶液的湿蚀刻工艺中的掩模。
下述专利文献2中记载了包含具有被保护了的羧基的化合物、具有能够与羧基反应的基团的化合物、和溶剂的光刻用下层膜形成用组合物,或包含具有能够与羧基反应的基团和被保护了的羧基的化合物、和溶剂的光刻用下层膜形成用组合物,该组合物不含氨基塑料系交联剂作为必需成分。然而,专利文献2中,关于由该组合物形成的抗蚀剂下层膜对过氧化氢水溶液的耐性,没有任何记载和暗示。
下述专利文献3中记载了使用了具有对碱性过氧化氢水溶液的耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。而且,用于形成该抗蚀剂下层膜的组合物包含重均分子量1000~100,000的、具有环氧基的聚合物、和溶剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4145972号公报
专利文献2:国际公开第2005/013601号
专利文献3:国际公开第2015/030060号
发明内容
发明所要解决的课题
近年来,对于与以往相比进一步提高了对过氧化氢水溶液的耐性的保护膜的要求日益增强。本发明的目的是提供用于形成具有对过氧化氢水溶液的耐性的保护膜的新的组合物、以及使用了该保护膜的图案形成方法。
用于解决课题的方法
本发明的发明人通过应用包含具有2个以上酚性羟基的化合物作为添加剂即副成分、或包含具有2个以上酚性羟基的化合物作为除去溶剂后的固体成分中的主成分的组合物,能够解决上述课题。本发明的第一方案是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物;以及溶剂,相对于除去该溶剂后的固体成分,含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量%~60质量%,或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量%~100质量%。
(式中,R1表示碳原子数1~4的亚烷基或亚烯基、或直接结合,k表示0或1,m表示1~3的整数,n表示2~4的整数。)
本发明的保护膜形成用组合物可以还包含1分子中具有环氧基、氧杂环丁烷基、环氧环己基和环氧环戊基中的至少2个基团的化合物。该化合物作为交联剂被添加。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学株式会社,未经日产化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780056169.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造