[发明专利]保护膜形成用组合物

权利要求书

1.一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：

下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及

溶剂，

相对于除去该溶剂后的固体成分，含有所述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有所述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％，

式中，R₁表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数，

并且，式(1a)所示的化合物为从式(1a-2)～(1a-9)、(1a-12)～式(1a-19)所示化合物中选择的化合物，

式(1b)所示的化合物为从式(1b-2)～式(1b-14)、式(1b-19)～式(1b-22)、式(1b-24)、式(1b-27)、式(1b-29)～式(1b-31)所示化合物中选择的化合物，

2.根据权利要求1所述的针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其还包含1分子中具有环氧基、氧杂环丁烷基、环氧环己基和环氧环戊基中的至少2个基团的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其还包含不具有酚性羟基的化合物，相对于该化合物，含有所述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％。

4.根据权利要求3所述的针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，所述不具有酚性羟基的化合物为聚合物。

5.一种图案形成方法，其包含下述工序：

第1工序：使用权利要求1～4中任一项所述的针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物在表面可以形成有无机膜的半导体基板上形成保护膜；

第2工序：在所述保护膜上形成抗蚀剂图案；

第3工序：以所述抗蚀剂图案作为掩模对所述保护膜进行干蚀刻而使所述无机膜或所述半导体基板的表面露出；以及

第4工序：以干蚀刻后的所述保护膜作为掩模，使用过氧化氢水溶液对所述无机膜或所述半导体基板进行湿蚀刻和洗涤。