[发明专利]具有程序偏置和快速感测的感测放大器

权利要求书

1.一种装置，包括：

位线，所述位线耦接到非易失性存储器元件的存储单元；以及

感测放大器，所述感测放大器耦接到所述位线，所述感测放大器包括

感测电路，所述感测电路感测所述位线的电性质以用于从所述存储单元中的一个或多个读取数据；以及

偏置电路，所述偏置电路将偏置电压施加到所述位线以用于向所述存储单元中的一个或多个写入数据，其中，所述偏置电路和所述感测电路包括所述感测放大器内的单独的并行电路径，并且所述偏置电路的电容大于所述感测电路的电容。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，为了从所述存储单元中的一个读取数据，所述位线被预充电，读取电压被施加到所述存储单元的控制栅，并且所述感测电路感测所述位线的电性质以确定所述位线是否通过所述存储单元放电。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，为了向所述存储单元中的一个写入数据，所述偏置电路将所述偏置电压施加到所述位线，并且一个或多个编程电压脉冲被施加到所述存储单元的控制栅。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述感测电路和所述偏置电路并行地耦接到所述位线，所述感测放大器还包括晶体管，当所述感测电路正在使用时，所述晶体管将所述偏置电路与所述位线电隔离。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述偏置电路包括一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管限制来自激活所述偏置电路的电压源的泄漏电流。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述感测电路的电容主要包括寄生电容。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，基于所述非易失性存储器元件的编程速度来选择所述偏置电路的所述电容。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述偏置电路包括场效应晶体管，所述场效应晶体管被配置为使得所述偏置电路的所述电容包括所述场效应晶体管的栅极和衬底之间的电容。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述晶体管包括耗尽型场效应晶体管。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述感测放大器还包括禁止电路，所述禁止电路向所述位线施加禁止电压以用于禁止所述存储单元中的一个或多个的编程。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述偏置电路向所述位线施加禁止电压，以用于禁止所述存储单元中的一个或多个的编程。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述偏置电压在从零到三伏的范围内。

13.一种方法，包括：

从非易失性存储元件读取第一数据集，所述非易失性存储元件包括多个存储单元、耦接到所述存储单元的多个位线以及耦接到所述位线的多个感测放大器，其中，读取所述第一数据集包括感测所述位线中的一个或多个的电压；以及

向所述非易失性存储元件写入第二数据集，其中，写入所述第二数据集包括向所述位线中的一个或多个施加偏置电压，所述感测放大器包括用于感测位线电压的感测电路和用于施加位线偏置电压的偏置电路，其中，所述偏置电路和所述感测电路单独地并行耦接到所述位线，并且所述偏置电路的电容大于所述感测电路的电容。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括当所述感测电路正在使用时将所述偏置电路与所述位线电隔离。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括禁止所述存储单元中的一个或多个的编程，其中，所述感测放大器还包括用于施加位线禁止电压的禁止电路。