[发明专利]膜

说明书

提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。

技术领域

本发明涉及膜。

背景技术

已知偏二氟乙烯均聚物的膜、或由偏二氟乙烯与其它单体构成的共聚物的膜具有高相对介电常数。

例如，在专利文献1中，作为显示出优异的介电特性的膜，记载了一种由偏二氟乙烯树脂组合物得到的膜，该偏二氟乙烯树脂组合物由95重量％～30重量％的偏二氟乙烯树脂和5重量％～70重量％的聚醚构成。

在专利文献2中，记载了一种使用氟树脂形成的高电介质膜，该氟树脂包含合计为95摩尔％以上的偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

专利文献3中记载了一种包含四氟乙烯系树脂作为膜形成树脂的膜电容器用膜，该四氟乙烯系树脂以偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元(摩尔％比)为0/100～49/51的范围包含偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-199046号公报

专利文献2：国际公开第2008/090947号

专利文献3：国际公开第2012/039424号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，需要与现有的膜相比相对介电常数更高、而且体积电阻率和绝缘击穿强度也更高的膜。

为了提高相对介电常数，还有复合高相对介电常数材料的方法，但是在相对介电常数高的材料的情况下水分吸附量变多，会引起体积电阻率的降低。另外，由于主聚合物材料与添加物的相对介电常数的差异，会引起绝缘击穿强度的降低，因此需要满足高相对介电常数与体积电阻率和绝缘击穿强度的全部性能的方法。

本发明的目的在于，鉴于上述现状，提供一种相对介电常数、体积电阻率和绝缘击穿强度均高的膜。

用于解决课题的手段

本发明涉及一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上，30℃下的体积电阻率为5E+15Ω·cm以上，绝缘击穿强度为500V/μm以上。

上述膜优选结晶度为60％以上。

上述膜优选在X射线衍射中的结晶峰的半峰宽为0.5～1.5。

上述膜优选包含聚合物。

上述膜优选包含熔点为180℃以上的含氟聚合物。

上述膜优选包含含有偏二氟乙烯单元的含氟聚合物。

上述膜优选厚度为1μm～100μm。

上述膜优选为高介电性膜或压电膜。

上述膜能够适合用于膜电容器、电润湿器件、或压电面板。

发明的效果

本发明的膜由于具有上述构成，因而具有高相对介电常数、高体积电阻率和高绝缘击穿强度。

具体实施方式

下面，具体说明本发明。

本发明的膜在频率1kHz、30℃下的相对介电常数为9以上。

作为上述相对介电常数，优选为10以上。