[发明专利]基于掩埋氧化物工艺的可变电容器

说明书

本公开的某些方面提供了一种基于掩埋氧化物工艺的半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括耦合到第一非绝缘区域的第一导电焊盘和耦合到第二非绝缘区域的第二导电焊盘。第二非绝缘区域可以耦合到半导体区域。电容器还可以包括耦合到第一半导体区域的第一控制区域，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域的控制电压而被调节。电容器还包括设置在半导体区域下方的绝缘体区域，其中第一非绝缘区域的至少一部分通过绝缘体区域与第二非绝缘区域分离，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘电隔离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月29日提交的美国申请No.15/250,493的优先权，该申请已转让给本申请的受让人并且其全部内容通过引用明确地并入本文。

技术领域

本公开的某些方面总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及可变电容器。

背景技术

半导体电容器是用于集成电路的基本组件。可变电容器是一种其电容可以在偏置电压的影响下有意和重复地改变的电容器。可以称为变抗器的可变电容器通常用在电感器-电容器(LC)电路中以设置振荡器的谐振频率，或者用作可变电抗，例如用于天线调谐器中的阻抗匹配。

压控振荡器(VCO)是可以使用变抗器的示例电路，其中通过改变偏置电压以改变结电容来改变形成在pn结二极管中的耗尽区的厚度。任何结型二极管都表现出这种效应(包括晶体管中的pn结)，但用作可变电容二极管的器件被设计为具有大的结面积和专门选择的掺杂分布以改善器件性能，诸如品质因数和调谐范围。

发明内容

本公开的某些方面总体上涉及使用掩埋氧化物层实现的可变电容器。

本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括：耦合到第一非绝缘区域的第一导电焊盘；耦合到第二非绝缘区域的第二导电焊盘，其中第二非绝缘区域耦合到第一半导体区域；耦合到第一半导体区域的第一控制区域，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域的控制电压而被调节；以及设置在第一半导体区域下方的第一绝缘体区域，其中第一非绝缘区域的至少一部分通过第一绝缘体区域与第二非绝缘区域分离，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘电隔离。

本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括：耦合到第一非绝缘区域的第一导电焊盘；耦合到第二非绝缘区域的第二导电焊盘，其中第二非绝缘区域耦合到第一半导体区域；第一控制区域和第二控制区域，其中第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域和第二控制区域的一个或多个控制电压而被调节，其中第一控制区域耦合到第一半导体区域；以及设置在第一半导体区域下方的第一绝缘体区域，其中第二控制区域通过第一绝缘体区域与第二非绝缘区域分离。

本公开的某些方面提供了一种用于制造半导体可变电容器的方法。该方法总体上包括：形成第一绝缘体区域，在第一绝缘体区域上方形成第一半导体区域，形成第一非绝缘区域，将第一导电焊盘耦合到第一非绝缘区域，形成耦合到形成在第一绝缘体区域上方的第一半导体区域的第二非绝缘区域，将第二导电焊盘耦合到第二非绝缘区域，其中第一非绝缘区域的至少一部分通过第一绝缘体区域与第二非绝缘区域分离，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘电隔离，并且形成耦合到第一半导体区域的第一控制区域，使得施加到第一控制区域的控制电压被配置为调节第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容。