[发明专利]基于掩埋氧化物工艺的可变电容器

权利要求书

1.一种半导体可变电容器，包括：

第一导电焊盘，被耦合到第一非绝缘区域；

第二导电焊盘，被耦合到第二非绝缘区域，其中所述第二非绝缘区域被耦合到第一半导体区域；

第一控制区域，被耦合到所述第一半导体区域，使得所述第一导电焊盘与所述第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变被施加到所述第一控制区域的控制电压而被调节；以及

第一绝缘体区域，被设置在所述第一半导体区域下方，其中所述第一非绝缘区域的至少一部分通过所述第一绝缘体区域与所述第二非绝缘区域被分离，使得所述第一导电焊盘与所述第二导电焊盘被电隔离。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中所述控制电压相对于所述第二导电焊盘被施加到所述第一控制区域。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一非绝缘区域的所述至少一部分包括被设置在所述第一绝缘体区域下方的第二半导体区域，其中所述第二半导体区域和所述第二非绝缘区域通过所述第一绝缘体区域被电隔离。

4.根据权利要求1所述的电容器，还包括：

第三导电焊盘，被耦合到第三非绝缘区域；以及

第二控制区域，被耦合到第二半导体区域，使得所述第二导电焊盘与所述第三导电焊盘之间的电容通过改变被施加到所述第二控制区域的控制电压而被调节。

5.根据权利要求4所述的电容器，其中所述第三非绝缘区域被耦合到所述第二半导体区域。

6.根据权利要求4所述的电容器，还包括：

被设置在所述第二半导体区域下方的第二绝缘体区域，其中所述第三非绝缘区域的至少一部分通过所述第二绝缘体区域与所述第二非绝缘区域被电隔离。

7.根据权利要求6所述的电容器，其中所述第三非绝缘区域的所述一部分包括被设置在所述第二绝缘体区域下方的第三半导体区域，其中所述第三半导体区域和所述第二非绝缘区域通过所述第二绝缘体区域被电隔离。

8.根据权利要求6所述的电容器，其中所述第一绝缘体区域和所述第二绝缘体区域是分离的区域。

9.根据权利要求4所述的电容器，还包括被耦合到第四非绝缘区域的第四导电焊盘，其中所述第四非绝缘区域被耦合到所述第二半导体区域，其中所述第二导电焊盘被耦合到所述第四导电焊盘。

10.根据权利要求9所述的电容器，其中所述第四非绝缘区域是与所述第二非绝缘区域分离的区域，并且经由沟槽隔离而被分离。

11.根据权利要求4所述的电容器，其中所述第二控制区域被耦合到所述第一控制区域。

12.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一非绝缘区域和所述第二非绝缘区域经由沟槽隔离而被分离。

13.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一非绝缘区域和所述第一半导体区域被设置在所述第一绝缘体区域的相对侧上。

14.根据权利要求13所述的电容器，还包括被耦合到第二绝缘体区域的第二控制区域，其中所述第二绝缘体区域被耦合到所述第一半导体区域，使得所述第一导电焊盘与所述第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变被施加到所述第二控制区域的另一控制电压而被调节。

15.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第二非绝缘区域由通过所述第一绝缘体区域的通孔被耦合到所述第一半导体区域。

16.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一控制区域由通过所述第一绝缘体区域的通孔被耦合到所述第一半导体区域。