[发明专利]电解电容器及其制造方法

说明书

电解电容器具备：阳极体；形成于阳极体上的电介质层；形成于衍生物层上的固体电解质层；和形成于固体电解质层上的阴极引出层。固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子。固体电解质层的电介质层侧的第2导电性高分子的量大于固体电解质层的阴极引出层侧的第2导电性高分子的量。

技术领域

本发明涉及具有含导电性高分子的固体电解质层的电解电容器及其制造方法。

背景技术

作为小型且大电容、低ESR的电容器，具备形成有电介质层的阳极体、和覆盖电介质层的至少一部分而形成的固体电解质层的电解电容器被寄予很大期望。在固体电解质层中广泛使用包含聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电性高分子层(参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特表2002-524593号公报

发明内容

发明想要解决的框体

但是，形成于电介质层之上的包含PEDOT的导电性高分子层由于易于因反复充放电而收缩，因此若反复进行充放电，则导电性高分子层与电介质层等的紧贴性就会降低，电解电容器的电容就有可能降低。

因此，本发明的目的在于，提供反复充放电特性卓越的电解电容器及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个局面涉及电解电容器，该电解电容器具备：阳极体；形成于所述阳极体上的电介质层；形成于所述电介质层上的固体电解质层；和形成于所述固体电解质层上的阴极引出层，所述固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子，所述固体电解质层的靠近所述电介质层的区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率大于所述固体电解质层的靠近所述阴极引出层的区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率。

本发明另一个局面涉及电解电容器的制造方法，该电解电容器的制造方法包含：第1工序，使包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子的第1处理液与在表面形成有电介质层的阳极体接触，从而使所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子进行附着；和第2工序，在所述第1工序之后，使包含所述第1导电性高分子且与所述第1处理液相比所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的含有比率较小的第2处理液与附着有所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的所述阳极体接触，从而至少使所述第1导电性高分子进行附着。

发明效果

根据本发明，能抑制伴随电解电容器的反复充放电的电容降低。另外，能得到高电容且耐电压特性卓越的电解电容器。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的电解电容器的截面示意图。

图2是将图1所示的电解电容器的主要部分放大的截面示意图。

具体实施方式

[电解电容器]

本发明的一个实施方式所涉及的电解电容器具备：阳极体；形成于阳极体上的电介质层；形成于电介质层上的固体电解质层；和形成于固体电解质层上的阴极引出层。

固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子，固体电解质层的电介质层侧的第2导电性高分子的量(质量比率)大于固体电解质层的阴极引出层侧的第2导电性高分子的量(质量比率)。