[发明专利]电解电容器及其制造方法有效
申请号: | 201780051779.1 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN109643610B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 福井齐;铃木慎也;冈本浩治;长岛慎人 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028;C08L65/00;C08L79/00;H01G9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 高颖 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种电解电容器,具备:
阳极体;
形成于所述阳极体上的电介质层;
形成于所述电介质层上的固体电解质层;和
形成于所述固体电解质层上的阴极引出层,
所述固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子,
所述固体电解质层具有靠近所述电介质层的第1区域和比所述第1区域更靠近所述阴极引出层的第2区域,
所述第1区域包含所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子,
所述第2区域包含所述第1导电性高分子,
所述第1区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率大于所述第2区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率。
2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,
所述阳极体的至少一部分是多孔质,
所述固体电解质层的一部分侵入到所述阳极体的孔内,
所述第1区域存在于所述阳极体的孔内,所述第2区域存在于所述阳极体的孔外。
3.根据权利要求2所述的电解电容器,其中,
所述固体电解质层的所述第1区域中的所述第2导电性高分子的所述质量比率相对于所述固体电解质层的所述第1区域中的所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计100质量份是5质量份以上且80质量份以下。
4.根据权利要求2所述的电解电容器,其中,
所述固体电解质层的所述第2区域不包含所述第2导电性高分子。
5.一种电解电容器,具备:
阳极体;
形成于所述阳极体上的电介质层;
形成于所述电介质层上的固体电解质层;和
形成于所述固体电解质层上的阴极引出层,
所述固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子,
所述固体电解质层包含第1导电性高分子层、和形成得比所述第1导电性高分子层更靠近所述阴极引出层的第2导电性高分子层,
所述第1导电性高分子层包含所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子,
所述第2导电性高分子层包含所述第1导电性高分子,
所述第1导电性高分子层中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率大于所述第2导电性高分子层中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率。
6.根据权利要求5所述的电解电容器,其中,
所述第1导电性高分子层中的所述第2导电性高分子的所述质量比率相对于所述第1导电性高分子层中的所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计100质量份是5质量份以上且80质量份以下。
7.根据权利要求5所述的电解电容器,其中,
所述第2导电性高分子层不包含所述第2导电性高分子。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的电解电容器,其中,
所述第1导电性高分子包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩),所述第2导电性高分子包含聚苯胺。
9.一种电解电容器的制造方法,包含:
第1工序,使包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子的第1处理液与在表面形成有电介质层的阳极体接触,从而使所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子进行附着;和
第2工序,在所述第1工序之后,使包含所述第1导电性高分子且与所述第1处理液相比所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率较小的第2处理液与附着有所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的所述阳极体接触,从而至少使所述第1导电性高分子进行附着。
10.根据权利要求9所述的电解电容器的制造方法,其中,
所述第1导电性高分子包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩),所述第2导电性高分子包含聚苯胺。
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