[发明专利]电解电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780051779.1 申请日: 2017-08-08
公开(公告)号: CN109643610B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 福井齐;铃木慎也;冈本浩治;长岛慎人 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01G9/028 分类号: H01G9/028;C08L65/00;C08L79/00;H01G9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电解电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电解电容器,具备:

阳极体;

形成于所述阳极体上的电介质层;

形成于所述电介质层上的固体电解质层;和

形成于所述固体电解质层上的阴极引出层,

所述固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子,

所述固体电解质层具有靠近所述电介质层的第1区域和比所述第1区域更靠近所述阴极引出层的第2区域,

所述第1区域包含所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子,

所述第2区域包含所述第1导电性高分子,

所述第1区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率大于所述第2区域中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率。

2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,

所述阳极体的至少一部分是多孔质,

所述固体电解质层的一部分侵入到所述阳极体的孔内,

所述第1区域存在于所述阳极体的孔内,所述第2区域存在于所述阳极体的孔外。

3.根据权利要求2所述的电解电容器,其中,

所述固体电解质层的所述第1区域中的所述第2导电性高分子的所述质量比率相对于所述固体电解质层的所述第1区域中的所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计100质量份是5质量份以上且80质量份以下。

4.根据权利要求2所述的电解电容器,其中,

所述固体电解质层的所述第2区域不包含所述第2导电性高分子。

5.一种电解电容器,具备:

阳极体;

形成于所述阳极体上的电介质层;

形成于所述电介质层上的固体电解质层;和

形成于所述固体电解质层上的阴极引出层,

所述固体电解质层包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子,

所述固体电解质层包含第1导电性高分子层、和形成得比所述第1导电性高分子层更靠近所述阴极引出层的第2导电性高分子层,

所述第1导电性高分子层包含所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子,

所述第2导电性高分子层包含所述第1导电性高分子,

所述第1导电性高分子层中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率大于所述第2导电性高分子层中的、所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率。

6.根据权利要求5所述的电解电容器,其中,

所述第1导电性高分子层中的所述第2导电性高分子的所述质量比率相对于所述第1导电性高分子层中的所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计100质量份是5质量份以上且80质量份以下。

7.根据权利要求5所述的电解电容器,其中,

所述第2导电性高分子层不包含所述第2导电性高分子。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的电解电容器,其中,

所述第1导电性高分子包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩),所述第2导电性高分子包含聚苯胺。

9.一种电解电容器的制造方法,包含:

第1工序,使包含具有噻吩骨架的第1导电性高分子、和具有苯胺骨架的第2导电性高分子的第1处理液与在表面形成有电介质层的阳极体接触,从而使所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子进行附着;和

第2工序,在所述第1工序之后,使包含所述第1导电性高分子且与所述第1处理液相比所述第2导电性高分子相对于所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的合计质量的质量比率较小的第2处理液与附着有所述第1导电性高分子以及所述第2导电性高分子的所述阳极体接触,从而至少使所述第1导电性高分子进行附着。

10.根据权利要求9所述的电解电容器的制造方法,其中,

所述第1导电性高分子包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩),所述第2导电性高分子包含聚苯胺。

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