[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备在审
申请号: | 201780051732.5 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109661727A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 中食慎太郎;狭山征博 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/22;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学滤波 固态成像装置 像素 电子设备 红外截止滤波器 光电转换单元 可见光像素 像素区域 滤色器 混色 分隔 隔壁 制造 配置 应用 | ||
本发明涉及能够抑制混色发生的固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。所述固态成像装置设置有布置在像素区域中的多个像素。每个像素都具有:设置在光电转换单元上的第一光学滤波层;配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层;和用于针对各像素分隔第一光学滤波层的至少一部分的分隔壁。与至少一个所述像素对应的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成,而另一者由滤色器形成。本发明能够应用于设置有可见光像素的CMOS图像传感器。
技术领域
本发明涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备,特别地,涉及能够抑制混色发生的固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。
背景技术
常规地,使用可见光进行成像和使用红外光进行成像的固态成像装置是已知的。
在这样的固态成像装置中,红外光像素例如能够通过叠加红色(R)和蓝色(B)滤色器而形成。在这种情况下,所有像素(可见光像素和红外光像素)在波长为700nm或以上的红外光区域中具有大致相同的透光率。因此,可见光像素和红外光像素之间发生混色,从而颜色分离和S/N(信噪比)劣化。
同时,例如,专利文献1公开了将红外截止滤波器形成在可见光像素的滤色器的下方。该红外截止滤波器由通过交替层叠具有高折射率的物质和具有低折射率的物质而获得的多层干涉膜形成。
引用列表
专利文献
专利文献1:特开号为2009-158944的日本专利申请
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,在专利文献1的红外截止滤波器中,红外光的透射分布依赖于入射角,或者步骤的数量增加从而提高工艺的难度。
鉴于上述情况做出本发明,本发明能够在红外光的透射分布不依赖于入射角的同时抑制像素之间发生混色,且步骤的数量不会提高导致工艺的难度增加。
技术问题的解决方案
本发明的固态成像装置包括布置在像素区域中的多个像素。每个像素都具有:配置在光电转换单元上的第一光学滤波层;配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层;和用于针对各像素分隔第一光学滤波层的至少一部分隔离的分隔壁。至少一个所述像素中的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成,而另一者由滤色器形成。
根据本发明的固态成像装置的制造方法是用于制造如下固态成像装置的制造方法:所述固态成像装置包括布置在像素区域中的多个像素,每个像素都具有:配置在光电转换单元上的第一光学滤波层;配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层;和用于针对各像素分隔第一光学滤波层的至少一部分的分隔壁,所述方法包括:形成所述分隔壁;形成所述第一光学滤波层;以及形成所述第二光学滤波层,其中,至少一个所述像素中的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成,而另一者由滤色器形成。
本发明的电子设备包括固态成像装置,该固态成像装置包括布置在像素区域中的多个像素,其中,每个像素都具有:配置在光电转换单元上的第一光学滤波层;配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层;和用于针对各像素分离第一光学滤波层的至少一部分的分隔壁,且至少一个所述像素中的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成,而另一者由滤色器形成。
本发明包括布置在像素区域中的多个像素。每个像素都具有:配置在光电转换单元上的第一光学滤波层;配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层;和用于针对各像素分隔第一光学滤波层的至少一部分的分隔壁。至少一个所述像素中的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成,而另一者由滤色器形成。
本发明的技术效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的