[发明专利]多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法

说明书

一种由处理器执行的改进交叉点(cross‑point，X3D)存储器中的磨损均衡的方法，包括：耦合到所述X3D存储器的处理器检测触发事件，其中，所述X3D存储器包括第一部分存储单元和第二部分存储单元；响应于检测所述触发事件，所述处理器将存储在所述第一部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第一部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元，以及所述处理器将存储在所述第二部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第二部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元。

相关申请案交叉申请

本申请要求2016年8月24日由Xiangyu Tang、Ken Hu、Xiaobing Lee和YunxiangWu递交的发明名称为“多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法(Wear-LevelingMethod for Cross-Point Memory for Multiple Data Temperature Zones)”的第62/379,228号美国临时专利申请案以及2016年9月1日由Xiangyu Tang、Ken Hu、Xiaobing Lee和Yunxiang Wu递交的发明名称为“多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法(Wear-Leveling Method for Cross-Point Memory for Multiple Data TemperatureZones)”的第62/382,581号美国临时专利申请案以及2017年1月31日递交的发明名称为“多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法(Wear-Leveling Method for Cross-PointMemory for Multiple Data Temperature Zones)”的第15/420,696号美国实用新型申请案的在先申请优先权，这些在先申请案中的每个和所有的全部内容均以引入的方式并入本文本中。

技术领域

本发明涉及存储系统，更具体地，涉及访问存储器的系统和方法。

背景技术

存储系统内的存储单元或物理位置的磨损根据对每个单元进行编程的频率而有所不同。如果对某个单元或更一般地，存储单元进行一次编程，然后从不进行有效的重编程，则与该单元相关联的磨损通常相对较小。然而，如果重复写入和擦除某个单元，则与该单元相关联的磨损通常相对较大。当主机使用逻辑块地址(logical block address，LBA)时，如果主机重复使用相同的LBA来写入和重写数据，则重复写入和擦除闪存系统内的相同物理位置或单元。

当一些单元有效地被磨损而其它单元相对未被磨损时，磨损单元的存在通常会降低闪存系统的整体性能。除了降低与磨损单元本身相关联的性能之外，当没有足够数量的未磨损单元存储所需数据时，存储系统的整体性能可能受到不利影响。通常，当存储系统中存在临界数量的磨损单元时，即使闪存系统中的许多其它单元相对未磨损，存储系统也可能认为是不可用的。

为了提高闪存系统内的单元相当均匀地被磨损的可能性，通常执行磨损均衡操作。磨损均衡操作通常用于使得与特定LBA相关联的单元进行改变，这样相同LBA不总是与相同单元相关联。通过改变LBA的单元关联性，特定单元在其它单元磨损之前很难磨损。

发明内容