[发明专利]多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法有效
申请号: | 201780051147.5 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN109643274B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 唐翔宇;胡肯;李晓兵;吴云翔 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 温度 交叉点 存储器 磨损 均衡 方法 | ||
1.一种由处理器执行的改进交叉点(cross-point,X3D)存储器中的磨损均衡的方法,其特征在于,包括:
耦合到所述X3D存储器的处理器检测触发事件,其中:
所述X3D存储器包括第一部分存储单元和第二部分存储单元,
所述第一部分存储单元包括用于存储第一类型数据的多个连续存储单元,以及
所述第二部分存储单元包括用于存储第二类型数据的多个连续存储单元;以及响应于检测所述触发事件:
所述处理器将存储在所述第一部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第一部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元;以及
所述处理器将存储在所述第二部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第二部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述触发事件发生于所述第一部分存储单元的所述多个连续存储单元中的一个或多个的访问频率中的至少一个达到预定阈值时。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述触发事件根据预定时间表发生,所述时间表指示何时需要对所述X3D存储器执行磨损均衡的下一迭代。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将存储在所述第一部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到与所述第一部分存储单元的所述最后一个存储单元相邻的所述存储单元包括将存储在所述第一部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到所述第二部分存储单元的所述第一存储单元的位置。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将存储在所述第二部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到与所述第二部分存储单元的所述最后一个存储单元相邻的所述存储单元包括将存储在所述第二部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到所述第一部分存储单元的所述第一存储单元的位置。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,空存储单元位于所述第二部分存储单元的所述最后一个存储单元与所述第一部分存储单元的所述第一存储单元之间,将存储在所述第一部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到与所述第一部分存储单元的所述最后一个存储单元相邻的所述存储单元包括将存储在所述第一部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到所述第二部分存储单元的所述第一存储单元的位置,以及将存储在所述第二部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到与所述第二部分存储单元的所述最后一个存储单元相邻的所述存储单元包括:
所述处理器将存储在所述第二部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据迁移到所述空存储单元;以及
所述处理器擦除存储在所述第一部分存储单元的所述第一存储单元中的所述数据,使得所述第一部分存储单元的所述第一存储单元变为所述空存储单元。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一部分存储单元包括用于存储第一类型数据的多个小存储单元(small memory unit,SMU),所述第二部分存储单元包括用于存储第二类型数据的多个大存储单元(large memory unit,LMU),所述X3D存储器还包括第三部分存储单元,所述第三部分存储单元包括用于存储第三类型数据的多个介质存储单元(medium memory unit,MMU)。
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