[发明专利]具有岸结构的电子器件

说明书

具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件和相关方法，其中每个阱区由至少三个岸结构限定，所述岸结构形成阱区的侧壁。在每个阱区内存在至少两个电极段，其中电极段由至少一个绝缘岸在侧向上间隔开，其中绝缘岸比电极段厚。存在完全填充阱区的至少一个电荷输送层，其直接接触并且叠加在电极段和绝缘岸两者的上面。阱区用诸如喷墨的溶液方法填充。这些器件在活性区上具有改进的均匀性。

技术领域

根据本发明的实施例一般涉及岸结构作为电子器件中的结构限定材料的使用，更具体地，涉及所述岸结构用以限定这些器件内的阱区的用途，并且涉及包括这些结构的有机电子器件，用于制备这些结构的工艺，以及包含这些结构的电子器件。

背景技术

为了成本和可制造性，期望的是通过将薄膜元件(有源材料或无源材料)以溶液沉积在特定区上来制备电子器件，诸如有机电子(OE)器件，例如有机场效应晶体管(OFET)或有机发光二极管(OLED)。通常使用的技术(诸如使用高温真空沉积的荫罩掩模)是昂贵的、浪费材料，并且需要复杂的机器。一种潜在解决方案是提供包括图案化岸层的衬底，所述图案化岸层限定阱，有源组分可以以溶液或以液体形式沉积在所述阱内。所述阱在溶液干燥或固化时容纳所述溶液，使得有源组分保留在衬底的由所述阱限定的区中。溶液可以用喷墨及其它技术引入到所述阱中。

已知使用岸结构以及形成岸结构的方法，用于在衬底上限定这些受限位置(阱)。例如，US 2007/0023837 A1、WO 2008/117395 A1、EP 1933393 A1、GB 2,458,454 A、GB 2,462,845 A、US 2003/017360 A1、US 2007/190673 A1、WO 2007/023272 A1和WO 2009/077738 A1分别且共同地是这些已知结构和方法的代表性公开。

即使提供了由限定阱的岸材料形成的图案化层，但在阱区内容纳溶液方面仍然存在问题。通常，期望材料的溶液被沉积在阱内，并除去溶剂，从而在阱内留下由期望材料形成的膜。然而，由于残留膜的厚度在这种器件中通常是关键的，而适当溶剂中的溶解度通常有限，因此需要沉积在单室(cell)内的溶液的量可能超过阱的容积，并且溶液可能溢出到相邻的阱中。该问题的一个解决方案是控制岸的顶部的润湿性，使得接触角足够高，以便阱可以满溢而不溢出。这通常通过在岸中使用氟化材料来实现。在除去溶剂之后存在另一问题，其中残留材料的厚度在整个阱区中不均匀。通常，由于浸润效应，残留材料的厚度在限定阱的岸结构附近较厚。这导致穿过阱的不均匀发光，这是非常不期望的。该浸润问题的已知解决方案包括对岸结构使用材料或进行处理(例如，使用氟化材料)，以提供改善的浸润性能。另一已知解决方案依赖于特定的岸结构设计。然而，由于通常使用光刻来产生岸，而光刻与所提出的设计可能不完全兼容，因此针对该问题的这些解决方案具有局限性。

US 7781963、US 8217573、US 2014/0147950、US 8628986和JP 2008/243406都描述了通过以下方式形成OLED：在电极上使用岸结构的线路形成阱，然后使用喷墨方法填充所述阱。这些参考文献都公开了在岸结构下方使用宽绝缘层。下方绝缘层防止发光层在岸的壁附近发光，此处的发光由于岸壁处的浸润效应而是不均匀的。然而，该方法减小了像素的孔径尺寸。

US 6388377和WO 2003/083960描述了无源矩阵OLED的形成，其通过如下方法制备：在衬底上，在图案化的成行的导电层(ITO)之上且在所述成行的导电层的正交方向上由成行的岸形成阱，并且通过喷墨用发光所需的有机层填充这些阱，然后形成图案化的第二导电电极。US 2004/0140759描述了具有由岸结构限定的通道的OLED，所述通道将经由喷墨方法填充，其中在通道的端部处设有阻挡物以防止墨流出通道。