[发明专利]具有岸结构的电子器件

权利要求书

1.一种具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件，其中所述衬底具有至少一个表面，其中：

每个阱区由至少三个岸结构限定，所述岸结构形成所述阱区的侧壁；

至少两个电极段位于所述阱区中，所述电极段由至少一个绝缘层在侧向上间隔开并且位于所述公用衬底的相同表面上，其中所述绝缘层比所述电极段厚，

至少一个完全填充所述阱区的电荷输送层直接接触所述电极段及所述绝缘层的整个表面，并且完全叠加在所述电极段及所述绝缘层的整个表面上，

其中所述电极段是金属，其中与金属电极段直接接触的所述公用衬底的顶层是透明金属氧化物的层，使得所述金属电极段与所述透明金属氧化物的层一起形成电极，

其中在所述公用衬底上的所述透明金属氧化物的层不连续，使得在所述透明金属氧化物的每个单独区段上存在多个金属电极段；具有多个金属电极段的透明金属氧化物的每个区段彼此电气绝缘，并且

其中具有多个金属电极段的电气绝缘的所述透明金属氧化物的每个区段在单个方向上延伸过多个阱区。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中一个或多个活性层和反电极叠加在所述电荷输送层的上面。

3.根据权利要求2所述的电子器件，所述电子器件是OLED。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电极段是阳极，所述电荷输送层是空穴输送层。

5.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电极段是阳极，所述电荷输送层是与所述阳极相邻的空穴注入层和在所述空穴注入层上方的空穴输送层。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的电子器件，其中所述电子器件是OLED，其中所述透明金属氧化物的每个区段被单独控制，所述反电极对所有的阱区是公用的，使得所述OLED是有源矩阵器件。

7.根据权利要求2至5中的任一项所述的电子器件，其中所述电子器件是OLED，其中每个透明金属氧化物区段是在第一方向上延伸过多个阱区的条带，每个所述反电极是在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸过多个阱区的条带，使得所述OLED是无源矩阵器件。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中不同阱区容纳不同数目的电极段。

9.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电极段是阴极，所述电荷输送层是电子输送层。

10.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述电极段是阴极，所述电荷输送层是与所述阴极相邻的电子注入层和在所述电子注入层上方的电子输送层。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述绝缘层是无机的。

12.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述绝缘层选自二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiN₄）和氮氧化硅（SiON）或其混合物。

13.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述绝缘层是有机的。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述绝缘层是光刻胶树脂。

15.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述岸结构由含有氟或氟衍生物的光刻胶树脂组成。

16.根据权利要求15所述的电子器件，其中所述岸结构直接位于所述衬底上，并且在每一侧上与绝缘层相邻。

17.根据权利要求15所述的电子器件，其中所述岸结构位于绝缘层的顶部上。