[发明专利]树脂组合物、使用其的片材、层叠体、功率半导体器件、等离子体处理装置及半导体的制造方法

权利要求书

1.树脂组合物，其含有：(A)聚酰亚胺树脂，所述聚酰亚胺树脂在全部二胺残基中含有60摩尔％以上的具有下述通式(1)表示的结构的二胺残基；(B)热固性树脂；及(C)导热性填料，

其中，相对于所述(A)聚酰亚胺树脂100重量份而言，含有0.1～15重量份的(B)热固性树脂，

相对于(A)聚酰亚胺树脂、(B)热固性树脂及(C)导热性填料的合计100体积份而言，含有60体积份以上的(C)导热性填料；

[化学式1]

通式(1)中，R¹～R⁴各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、苯基或苯氧基；其中，苯基及苯氧基可以被碳原子数1～30的烷基取代；m个R¹及R³各自可以相同也可以不同；R⁵及R⁶各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚芳基；其中，亚芳基可以被碳原子数1～30的烷基取代；m表示10以上的范围。

2.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述(B)热固性树脂具有选自环氧基、异氰酸酯基及羟甲基中的基团。

3.如权利要求2所述的树脂组合物，其中，所述(B)热固性树脂为具有硅氧烷骨架的环氧树脂。

4.如权利要求2所述的树脂组合物，其中，所述(B)热固性树脂为具有三嗪骨架的环氧树脂。

5.功率半导体器件，其具有热沉和功率半导体模块，其中，在热沉与功率半导体模块之间，设置有包含权利要求1至4中任一项所述的树脂组合物的固化物的片材。

6.片材，其包含权利要求1～4中任一项所述的树脂组合物的固化物。

7.如权利要求6所述的片材，其厚度为100～400μm。

8.层叠体，其是在选自金属基板及陶瓷基板中的基材上层叠权利要求6所述的片材而成的。

9.层叠体，其是在发热体上层叠权利要求6所述的片材而成的。

10.等离子体处理装置，其具有等离子体源、具备调温机构的载置台、及温度控制板，其中，在所述具备调温机构的载置台与温度控制板之间设置有权利要求6所述的片材。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，温度控制板为聚焦环。

12.半导体的制造方法，其包括使用权利要求10或11所述的等离子体处理装置进行干法蚀刻的工序。