[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201780045978.1 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN109478459B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 国吉太;三野修嗣 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C28/00;C22C38/00;H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
本发明包括:在R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布粘接剂的涂布工序;使由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域的附着工序;和在R-T-B系烧结磁体的烧结温度以下的温度进行热处理,使粒度调整粉末所含的重稀土元素RH从R-T-B系烧结磁体的表面扩散到内部的扩散工序。粒度调整粉末的粒度设定为:当将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R-T-B系烧结磁体的整个表面且形成1层颗粒层时,粒度调整粉末所含的重稀土元素RH的量相对于上述R-T-B系烧结磁体以质量比计在0.6~1.5%的范围内。
技术领域
本发明涉及R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素,T为Fe或者Fe和Co)的制造方法。
背景技术
已知以R2T14B型化合物为主相的R-T-B系烧结磁体是永磁体中性能最高的磁体,使用在硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、混合动力汽车搭载用电机等的各种电机或家电制品等。
R-T-B系烧结磁体由于在高温下固有矫顽力HcJ(以下简称为“HcJ”)降低,因此会发生不可逆热退磁。为了避免不可逆热退磁,在电机用途等中使用时,要求在高温下也维持高的HcJ。
已知在R-T-B系烧结磁体中,如果将R2T14B型化合物相中的R的一部分置换为重稀土元素RH(Dy、Tb),则HcJ提高。为了在高温得到高的HcJ,R-T-B系烧结磁体中大量添加重稀土元素RH是有效的。但是,在R-T-B系烧结磁体中,如果作为R将轻稀土元素RL(Nd、Pr)用重稀土元素RH置换,则尽管HcJ提高,但存在剩余磁通密度Br(以下简称为“Br”)降低的问题。另外,由于重稀土元素RH是稀有资源,所以要求削减其使用量。
因此,近年来,为了不使Br降低,研究了利用较少的重稀土元素RH使R-T-B系烧结磁体的HcJ提高的做法。例如提出了使重稀土元素RH的氟化物或氧化物、各种金属M或M合金分别单独、或混合存在于烧结磁体的表面,在该状态下进行热处理,由此使有助于矫顽力提高的重稀土元素RH扩散到磁体内的方案。
专利文献1公开了使用R氧化物、R氟化物、R氧氟化物的粉末(R为稀土元素)。
专利文献2公开了使用RM(M为选自Al、Cu、Zn、Ga等中的1种以上)合金的粉末。
专利文献3、4公开了通过使用RM合金(M为选自Al、Cu、Zn、Ga等中的1种以上)、M1M2合金(M1M2为选自Al、Cu、Zn、Ga等中的1种以上)、以及RH氧化物的混合粉末,能够在热处理时利用RM合金等将RH氧化物部分地还原,将重稀土元素RH导入磁体内。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2006/043348号
专利文献2:日本特开2008-263179号公报
专利文献3:日本特开2012-248827号公报
专利文献4:日本特开2012-248828号公报
专利文献5:国际公开第2015/163397号
发明内容
发明所要解决的课题
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