[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201780045978.1 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN109478459B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 国吉太;三野修嗣 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C28/00;C22C38/00;H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:
准备R-T-B系烧结磁体的工序,其中,R为稀土元素,T为Fe或者Fe和Co;
准备扩散源粉末的工序,所述扩散源粉末是由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的;
涂布工序,其在所述R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布厚度为10μm以上100μm以下的粘接剂;
附着工序,其使所述扩散源粉末通过流动浸渍法附着于涂布了所述粘接剂的R-T-B系烧结磁体的表面的所述涂布区域;和
扩散工序,其在所述R-T-B系烧结磁体的烧结温度以下的温度对附着了所述扩散源粉末的R-T-B系烧结磁体进行热处理,使所述扩散源粉末所含的重稀土元素RH从所述R-T-B系烧结磁体的表面扩散到内部,
所述扩散源粉末的整体的90质量%以上为粒度超过38μm的粉末。
2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述附着工序中,附着于所述涂布区域的所述扩散源粉末由以下颗粒构成:(1)与所述粘接剂的表面接触的多个颗粒、(2)与所述R-T-B系烧结磁体的表面仅通过所述粘接剂附着的多个颗粒、(3)不通过具有粘接性的材料地与所述多个颗粒中的1个或多个颗粒结合的其他颗粒。
3.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述附着工序中,以所述扩散源粉末所含的重稀土元素RH的量相对于所述R-T-B系烧结磁体以质量比计在0.6~1.5%的范围内的方式,使所述扩散源粉末附着于所述涂布区域。
4.如权利要求3所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述附着工序中,以所述扩散源粉末所含的重稀土元素RH的量相对于所述R-T-B系烧结磁体以质量比计在0.7~1.5%的范围内的方式,使所述扩散源粉末附着于所述涂布区域。
5.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:所述扩散源粉末为球状粉末。
6.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:
在所述R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布所述粘接剂时,以将所述R-T-B系烧结磁体加热后的状态进行。
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