[发明专利]碎片减少系统、辐射源和光刻设备

说明书

一种在辐射源中使用的碎片减少系统。所述碎片减少系统包括污染物陷阱。所述污染物陷阱包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置成接收从辐射源的等离子体形成区域发射的液态金属燃料碎片。所述碎片接收表面由下述材料构成：该材料与所述液态金属燃料碎片反应以在所述碎片接收表面上形成金属间化合层。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年7月25日递交的EP申请16181066.8的优先权，该EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及光刻方法和设备，并且具体地但非排他地涉及校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法。

背景技术

光刻设备是将所要图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(也称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常，通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗触剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛地认为是在IC以及其它装置和/或结构的制造中的一个关键步骤。然而，随着使用光刻术制作的特征的尺寸变得越来越小，光刻术逐渐变成能够使得IC或其它装置和/或结构小型化的更为关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由瑞利分辨率准则给出，如等式(1)所示：

其中，λ是所使用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是过程依赖调整因子(也被称为瑞利常数)，并且CD是印刷特征的特征大小(或临界尺寸)。根据等式(1)，可以通过如下三种方式实现特征的最小可印刷大小的缩减：通过缩短曝光波长λ；通过增大数值孔径NA；或者通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此缩减最小可印刷大小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5nm至20nm的范围内(例如在13nm至14nm的范围内)的电磁辐射。还已经提出可以使用波长小于10nm(例如在5nm至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm)的EUV辐射。例如，可能的源包括：激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或者基于由电子储存环提供的同步加速器辐射的源。

可以使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射源可以激发燃料，以产生发射EUV辐射的等离子体。例如，可以通过将激光束引导到燃料(诸如适当材料(例如锡)的液滴、或者适当气体或蒸汽(诸如Xe气体或Li蒸汽)的气流)处而产生等离子体。使用辐射收集器收集由等离子体发射的EUV辐射，该辐射收集器接收EUV辐射并且将该EUV辐射聚焦成束。辐射源可以包括被布置成为等离子体提供真空环境的包围壳体或腔室。以这种方式使用激光束的辐射源通常被称为激光产生等离子体(LPP)源。

除了产生等离子体之外，通过激发燃料也可能导致从燃料产生多余的颗粒碎片。例如，在使用液态金属(诸如锡)作为燃料的情况下，虽然一些液态金属燃料将被转化成EUV产生等离子体，但可能从等离子体形成区域以高速度发射液态金属燃料的碎片颗粒。碎片可能入射到辐射源内的其它部件上，从而影响辐射源产生EUV产生等离子体或者将EUV辐射束从该等离子体提供到光刻设备的其它部件的能力。碎片也可能行进到辐射源外部并且入射到光刻设备的其它部件上。

发明内容

期望预防或缓解上文所阐述的问题中的一个或更多个问题。