[发明专利]碎片减少系统、辐射源和光刻设备

权利要求书

1.一种在辐射源中使用的碎片减少系统，包括：

污染物陷阱，包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置成接收从所述辐射源的等离子体形成区域发射出的液态金属燃料碎片，

其中，所述碎片接收表面由与所述液态金属燃料碎片反应并在所述碎片接收表面上形成金属间化合层的材料构成。

2.如权利要求1所述的碎片减少系统，其中，所述反应使得基本上没有液态燃料从所述碎片接收表面滴落。

3.如权利要求1所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面由与所述液态金属燃料碎片以所述液态金属燃料碎片沉积到所述碎片接收表面上的速率的至少两倍的速率反应的材料形成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述液态金属燃料碎片与所述碎片接收表面之间的反应速率大于0.15μm/小时。

5.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述金属间化合层具有超过200摄氏度的熔点。

6.如权利要求5所述的碎片减少系统，其中，所述金属间化合层具有超过500摄氏度的熔点。

7.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面由与锡反应以形成金属间化合层的材料构成。

8.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面由铁、铁合金、碳钢、镍和铜中的至少一者构成。

9.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面形成有多孔结构。

10.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面包括多个叶片。

11.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，其中，所述碎片接收表面是大体光滑的。

12.如权利要求1至3中任一项所述的碎片减少系统，还包括热源，所述热源被布置成将所述碎片接收表面加热到200至500摄氏度之间的操作温度。

13.一种辐射源，包括：

燃料发射器，用于将燃料目标提供到等离子体形成区域；

如权利要求1至12中任一项所述的碎片减少系统。

14.如权利要求13所述的辐射源，其中，所述燃料发射器被布置成发射液态锡。

15.一种辐射系统，包括：

根据权利要求13或14所述的辐射源；

第一激光器，其被布置成将第一激光束提供到所述等离子体形成区域以照射或影响燃料目标并且生成辐射发射等离子体。

16.一种光刻系统，包括：

根据权利要求13或14所述的辐射源；

照射系统，其被配置成调节辐射束；

支撑件，其被构造成支撑图像形成装置，所述图像形成装置能够在所述辐射束的横截面将图案赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；

衬底台，其被构造成保持衬底；和

投影系统，其被配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。