[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法

说明书

本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有R_z超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。

技术领域

本发明涉及由化合物半导体所构成的发光组件以及其制造方法。

背景技术

化合物半导体，例如由AlGaInP所构成的发光组件(LED)，为了防止因湿度或制程中的异物附着所导致的劣化或漏电，而形成有SiO₂保护膜(例如，参考专利文献1)。

尤其，为了保护发光层侧面，使用的SiO₂膜以成形性高的材料及反应系统来形成为合适，而以使用了TEOS及氧的等离子体CVD来形成。如此一来，能良好地包覆发光层侧面，充分达到作为保护膜的功能。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2007－266646号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

另一方面，由于上述的SiO₂膜的成形性高，且也同样地会包覆作为光提取面的经粗糙化的表面的缘故，而亦有凹凸(R_z)变小的效果。由于SiO₂膜表面的凹凸变小，包覆树脂时的锚固效果变小，使得树脂密接性降低，而在进行树脂密封时，既有技术在高湿度环境下会有发生树脂剥离的问题。

鉴于上述问题点，本发明的目的在于提供一种发光组件及发光组件的制造方法，不使树脂密接性降低，并于进行树脂密封时，在高湿度环境下抑制树脂剥离的发生。

〔解决问题的技术手段〕

为了达成上述目的，本发明提供一种发光组件，包含由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜，其中于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面，形成有R_z超过5nm的凹凸。

如此一来，通过于保护膜的表面形成的R_z超过5nm的凹凸，包覆树脂时的锚固效果变大，使得树脂密接性增大，而得以在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。

此时，该保护膜以SiO₂为佳。

作为保护膜，能合适地使用SiO₂。

此时，该发光组件的表面的至少一部分为经粗糙化者为佳。

通过如此构成，便能提升发光组件的发光效率。

此外，本发明提供一种发光组件的制造方法，该发光组件包含由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜，其中通过于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的SiO₂膜上，透过以氢氟酸与1～4价的无机酸或有机酸所混合成的液体进行磨砂处理，而于该SiO₂膜的表面形成凹凸。

此种方法能制造一种发光组件，该发光组件能比较简便地于SiO₂膜表面形成凹凸，使得树脂密接性增大，而得以在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。

此时，作为该无机酸，使用硫酸、盐酸、磷酸之中的至少其中一种，以及作为该有机酸，使用丙二酸、醋酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸之中的至少其中一种为佳。

作为无机酸或有机酸，若使用如同上述者，将能更确实地于SiO₂膜表面形成凹凸。

[对照现有技术的功效]