[发明专利]用于分配气体的装置和用于处理基板的装置

说明书

本发明涉及用于基板处理设备的气体喷雾器及基板处理设备，其包括：等离子体产生部，用于产生等离子体，以便在由基板支撑部支撑的基板上执行处理工艺；接地体，接地体与等离子体产生部耦接；以及等离子体屏蔽部，用于屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体，其中，等离子体产生部包括：第一电极，用于产生等离子体；以及第二电极，第二电极在与第一电极间隔开的位置处耦接至接地体，以便在第二电极和第一电极之间的空间中形成用于喷射工艺气体的气体喷射空间，并且其中，等离子体屏蔽部从基板的内部和/或外部屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体。

技术领域

本发明涉及用于基板处理装置的气体分配装置和基板处理装置，其执行诸如在基板上沉积薄膜的沉积工艺的基板处理工艺。

背景技术

通常，在用于制造太阳能电池、半导体设备、平板显示设备等的基板上应形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，执行半导体制造工艺，并且半导体制造工艺的示例包括在基板上沉积包含特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、利用光敏材料选择性地曝光薄膜的一部分的光学工艺、去除与该选择性曝光的部分相对应的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等。

半导体制造工艺在基于用于相应工艺的最佳环境而设计的基板处理装置内进行，并且最近，通过利用等离子体以执行沉积工艺或蚀刻工艺的基板处理装置被大量使用。

基于等离子体的基板处理装置的示例包括通过利用等离子体以形成薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置、用于蚀刻并图案化薄膜的等离子体蚀刻装置等。

图1是现有技术的气体分配装置的概念性侧视图。

参照图1，现有技术的气体分配装置100包括第一电极110、接地体(ground body)120和第二电极130。

第一电极110产生用于基板处理的等离子体。第一电极110耦接到接地体120。第二电极130耦接到接地体120。第一电极设置在第二电极130的内部。第二电极130设置成包围第一电极110的外侧，并且第一电极110被容纳到内部部分中。第二电极130电接地。

因此，当向第一电极110施加等离子体电力时，可以通过在第一电极110 和第二电极130之间产生的电场在等离子体区域PA中产生等离子体。

这里，在现有技术的气体分配装置100中，第二电极130设置在第一电极110的内侧和外侧中的每一个上，因此，等离子体区域PA延伸到第一电极 110的内侧和第一电极110的外侧中的每一个。因此，现有技术的气体分配装置100存在以下问题。

首先，在现有技术的气体分配装置100中，由于等离子体区域PA延伸到第一电极110的内侧和第一电极110的外侧，因此存在等离子体区域PA中产生的等离子体密度降低的问题。

第二，在现有技术的气体分配装置100中，由于等离子体的密度降低，非反应工艺气体的流速增加，因此，存在工艺气体的消耗量增加的问题。此外，在现有技术的气体分配装置100中，由于非反应工艺气体的流速增加，产生的颗粒的数量增加，并且由于这个原因，存在基板质量降低的问题。

发明内容

技术问题

本发明旨在解决上述问题，并且旨在提供用于基板处理装置的气体分配装置和基板处理装置，其能够减小在等离子体区域中产生的等离子体密度降低的发生率，尽管等离子体区域扩大。

本发明旨在提供一种用于基板处理装置的气体分配装置和基板处理装置，其能够防止由于非反应工艺气体的出现而使工艺气体的消耗量增加，并且能够防止基板的质量因非反应工艺气体引起的产生颗粒的量的增加而降低。

技术方案

为了解决上述问题，本发明可以包括以下元件。